[发明专利]用于工艺中充电控制的植入衬底接触部

说明书

公开了一种衬底接触二极管。该衬底接触二极管包括衬底中的第一类型衬底植入物抽头、在衬底上的外延层中的第二类型外延植入物以及第二类型外延植入物上方的第一类型外延区。接触电极从该第一类型外延区的顶部向上延伸到包围该接触电极的层间电介质的表面。

技术领域

本公开的实施例涉及工艺中(in-process)充电控制，以及具体来说涉及用于工艺中充电控制的衬底接触部。

背景技术

在Si衬底上实现的GaN技术对于因用于高频射频(RF)应用的GaN材料系统和高电阻率Si衬底的半绝缘性质引起的工艺中充电/电弧放电敏感。对于充电保护的常规方式依靠深的且大面积的硅接触分流部（shunt）。

常规解决方案的缺点是创建深的且大面积的衬底连接中涉及的工艺复杂度。另外，常规解决方案的实现中涉及的地形需要（topographical imperative）限制缩放，因为大远离极限（large keep-away limit）必须被保持以减轻与周围电路系统的密度交互。对于高度缩放的RF前端技术，这个面积损失能够是产品管芯面积的相当大的一部分。

附图说明

图1是包括按照先前方式的衬底接触分流部的半导体结构的截面的图示。

图2A是按照实施例的、包括衬底接触二极管的半导体结构的截面的图示。

图2B是按照实施例的、能够用作充电保护装置的衬底接触二极管的图示。

图2C是按照实施例的、能够用作充电保护装置的衬底接触二极管的图示。

图3A-3G是按照实施例的、制作期间的衬底接触二极管的截面的图示。

图4图示依照实施例的一个实现的计算装置。

图5图示包括一个或多个实施例的插入器（interposer）。

具体实施方式

描述了用于工艺中衬底充电控制的植入接触部。应当领会，虽然本文中参照示例来描述实施例，但是本公开更一般地可适用于其他实现。在以下描述中，阐述了诸如具体集成和材料体系之类的许多具体细节以便提供对本公开的实施例的透彻了解。对本领域技术人员将明显的是，在没有这些具体细节的情况下也可实施本公开的实施例。在其他实例中，没有详细描述诸如集成电路设计布局之类的众所周知的特征，以免不必要地模糊本公开的实施例。此外，要领会，图中所示的各种实施例是说明性表示，而不一定按比例绘制。

某些术语还可以在以下描述中仅用于参考的目的，并且因此不旨在为限制性的。例如，诸如“上”、“下”、“在上方”和“在下方”之类的术语表示在附图中参考的方向。诸如“前面”、“背面”、“后面”和“侧面”之类的术语描述组件的各部分在一致但任意参考系内的定向和/或位置，这通过参考文本和描述讨论中的组件的相关联的附图而变得清楚。这类术语可以包括在上面特别地提及的单词、其派生词和类似引入的单词。

对于工艺中充电控制的先前方式的缺点是创建深的且大面积的衬底连接中涉及的复杂度。另外，先前解决方案的实现中涉及的地形考虑因素例如因必须被保持以减轻与周围电路系统的密度交互的大远离极限而限制缩放。对于高度缩放的RF前端技术，这个面积损失能够是产品管芯面积的相当大的一部分。在本文中公开了解决这类方式的缺点的工艺和装置。作为所公开的工艺的部分，代替深的、大面积的衬底连接，深植入物用来将工艺中衬底充电控制结构连接到衬底。通过使用植入物而不是蚀刻和金属填充工艺组件，能够避免使用先前方式所遭遇的成本和面积损失。