[发明专利]半导体器件制备方法在审
| 申请号： | 201910430240.8 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111987039A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 文浩宇;孙晓峰;秦仁刚;周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/762 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰;邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，并在所述衬底上依次形成缓冲氧化层和氮化硅掩膜；
图形化所述氮化硅掩膜和所述缓冲氧化层，形成刻蚀窗口，通过所述刻蚀窗口刻蚀所述衬底，形成沟槽；
在所述沟槽的内壁形成隔离氧化层并在所述隔离氧化层上形成隔离氮化硅层，所述隔离氮化硅层未填满所述沟槽；
刻蚀部分所述隔离氮化硅层，使所述隔离氮化硅层的延伸高度低于所述衬底的上表面，并形成覆盖所述氮化硅掩膜和填满所述沟槽的介质氧化层；
对所述介质氧化层进行研磨并停止于所述氮化硅掩膜；
去除所述氮化硅掩膜和所述缓冲氧化层，且不暴露所述隔离氮化硅层；
在所述衬底表面形成栅氧层，并在所述栅氧层上形成多晶硅层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀部分所述隔离氮化硅层具体是通过溅射方式刻蚀所述氮化硅层。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，被刻蚀后的所述隔离氮化硅层的顶端距所述衬底的上表面的垂直距离为
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀部分所述隔离氮化硅层，并形成覆盖所述氮化硅掩膜和填满所述沟槽的介质氧化层的步骤具体通过沉积工艺实现，所述沉积工艺包括：
第一步：设置所述沉积工艺的沉积/溅射比值范围为4.5～5.2，形成填充部分所述沟槽的所述介质氧化层；
第二步：调整所述沉积/溅射比值范围为8.0～10，增加所述介质氧化层的厚度以使所述介质氧化层填满所述沟槽。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述沉积工艺为高密度等离子体化学气相沉积工艺。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述第一步沉积工艺中形成于所述沟槽底部的所述介质氧化层的厚度不超过所述沟槽深度的30％。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述隔离氧化层的厚度范围为所述隔离氮化硅层的厚度范围为
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底表面形成栅氧层具体为通过热氧化工艺在所述衬底表面形成栅氧层。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法采用0.153μm线宽工艺。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述多晶硅层后，对所述栅氧层进行经时击穿测试。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
