[发明专利]引线框、附树脂的引线框及光半导体装置以及引线框的制造方法

权利要求书

1.一种引线框，用于光半导体装置，其特征在于具备：

芯片焊垫部，搭载光半导体元件；以及

引线部，可与所述光半导体元件电连接；且

在构成所述芯片焊垫部及所述引线部的至少一部分或整个面的任一者的引线框基材的表面，积层有光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层。

2.如权利要求1所述的引线框，其特征在于：所述光泽镀镍层的表面粗糙度为Ra0.02μm以上且0.05μm以下。

3.如权利要求1或2所述的引线框，其特征在于：所述光泽镀镍层的镀覆厚度为0.5μm以上且3.0μm以下。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的引线框，其特征在于：所述镀银层的镀覆厚度为0.3μm以上且2.5μm以下。

5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的引线框，其特征在于：所述光泽镀镍层的结晶定向性是平面指数(111)比平面指数(200)更优越。

6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的引线框，其特征在于：所述镀银层的表面的反射率(460nm)为90％以上。

7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的引线框，其特征在于：在所述光泽镀镍层与所述镀银层之间形成有镀金层。

8.如权利要求7所述的引线框，其特征在于：在所述光泽镀镍层与所述镀金层之间形成有镀钯层。

9.一种附树脂的引线框，其特征在于：具备如权利要求1至8中任一权利要求所述的引线框，及包围所述芯片焊垫部与所述引线部的周围的反光树脂部。

10.一种光半导体装置，其特征在于具备：如权利要求9所述的附树脂的引线框；光半导体元件，搭载在所述芯片焊垫部；连接体，将所述光半导体元件与引线部电连接；以及密封树脂部，由所述反光树脂部所包围，且由填充包含所述光半导体元件及所述连接体的区域的透明树脂形成。

11.一种引线框的制造方法，用于光半导体装置的引线框，其特征在于：在引线框基材中对应于搭载光半导体元件的芯片焊垫部及可与所述光半导体元件电连接的引线部的部位的至少一部分或整个面的任一者的表面，将光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层积层。

12.如权利要求11所述的引线框的制造方法，其特征在于：在所述引线框基材中对应于所述芯片焊垫部及所述引线部的部位的至少一部分或整个面的任一者的表面，将光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层积层之后，形成所述芯片焊垫部及所述引线部。

13.如权利要求11所述的引线框的制造方法，其特征在于：于在所述引线框基材形成所述芯片焊垫部及所述引线部之后，在构成所述芯片焊垫部及所述引线部的至少一部分或整个面的任一者的所述引线框基材的表面，将光泽度2.0以上且3.5以下的光泽镀镍层与最表层由光泽度1.6以上的镀银层所构成的镀贵金属层积层。

14.如权利要求11至13中任一权利要求所述的引线框的制造方法，其特征在于：使所述光泽镀镍层以表面粗糙度为Ra0.02μm以上且0.05μm以下的方式形成。

15.如权利要求11至14中任一权利要求所述的引线框的制造方法，其特征在于：将形成所述光泽镀镍层时的镀浴设为加入包含硫的光泽剂的胺基磺酸浴，且将电流密度设为3～10A/dm²。