[发明专利]漏电流降低型射频开关装置

说明书

本发明提供一种漏电流降低型射频开关装置，所述射频开关装置包括：第一串联开关电路，连接在第一端子和第二端子之间；第一并联开关电路，连接在所述第一串联开关电路的一端和地之间；电压产生电路，被配置为产生将输出到所述第一串联开关电路的第一栅极电压，产生将输出到所述第一并联开关电路的第二栅极电压，并且产生偏置电压以控制所述第一并联开关电路进入截止状态，所述偏置电压高于所述第二栅极电压；第一电阻电路，连接在信号线和所述电压产生电路的偏置电压端子之间，所述信号线在所述第一端子和所述第二端子之间；以及第二电阻电路，连接在所述电压产生电路的所述偏置电压端子和所述第一并联开关电路的接地端子之间。

本申请要求于2018年7月9日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0079377号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种能够降低漏电流的射频开关装置。

背景技术

通常，射频开关装置可包括串联开关电路和并联开关电路。串联开关电路和并联开关电路中的每个可包括串联连接的多个MOS晶体管。

供应到多个MOS晶体管的栅极的栅极电压用于控制导通截止切换。例如，为了控制多个MOS晶体管处于导通状态，供应高于导通电压的栅极电压，并且为了控制多个MOS晶体管处于截止状态，供应低于截止电压的栅极电压。例如，低于截止电压的栅极电压可以是零电压，但是在这种情况下，存在隔离特性可能劣化的缺点。

为了克服隔离特性劣化的缺点，已经提出了一种包括用于产生负栅极电压的负电路的射频开关装置，以通过产生更明确的截止状态来改善隔离特性。

此外，为了获得与负栅极电压相同的效果，提出了一种用于向栅极提供零电压和向信号线提供高于栅极电压的偏置电压的射频开关，以将并联开关电路保持处于截止状态。这在第10-1823269号韩国专利注册中描述。

然而，存在的缺点在于，由于提供给信号线的偏置电压，并联开关电路(其一端连接到信号线而另一端连接到地)的两端电压变为偏置电压，使得漏电流通过处于截止状态的并联开关电路流到地。也就是说，存在如下问题：即使当并联开关电路中的多个MOS晶体管处于截止状态时，漏极-源极电阻也连接在多个MOS晶体管中的每个的漏极和源极之间，并且通过每个MOS晶体管的漏极-源极电阻发生电流消耗。

发明内容

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种漏电流降低型射频开关装置包括：第一串联开关电路，连接在第一端子和第二端子之间；第一并联开关电路，连接在所述第一串联开关电路的一端和地之间；电压产生电路，被配置为产生将输出到所述第一串联开关电路的第一栅极电压，产生将输出到所述第一并联开关电路的第二栅极电压，并且产生偏置电压以控制所述第一并联开关电路进入截止状态，所述偏置电压高于所述第二栅极电压，其中，基于电池电压产生所述第一栅极电压、所述第二栅极电压和所述偏置电压；第一电阻电路，连接在信号线和所述电压产生电路的偏置电压端子之间，所述信号线连接在所述第一端子和所述第二端子之间；以及第二电阻电路，连接在所述电压产生电路的所述偏置电压端子和所述第一并联开关电路的接地端子之间。

所述第一电阻电路可包括连接在所述电压产生电路的所述偏置电压端子和所述信号线之间的第一电阻器，并且所述第二电阻电路可包括连接在所述电压产生电路的所述偏置电压端子和所述接地端子之间的第二电阻器。

所述第一电阻电路的第一电阻值可等于处于截止状态的所述第一并联开关电路的电阻值和所述第二电阻电路的电阻值的组合。