[发明专利]一种温度检测装置的制备方法

权利要求书

1.一种温度检测装置的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧形成温度传感芯片；

在所述温度传感芯片背离所述衬底的一侧形成键合层；

提供一信号读取芯片；

采用混合键合的工艺将所述信号读取芯片通过所述键合层与所述温度传感芯片键合；

其中，在所述衬底的一侧形成温度传感芯片，包括：

在所述衬底中形成温度敏感元件；

在所述衬底形成有所述温度敏感元件的一侧沉积第一介质层；

对所述第一介质层进行刻蚀，形成超材料结构凹槽以及第一过孔；所述第一过孔露出所述温度敏感元件的电极；

在所述超材料结构凹槽中填充超材料，形成超材料结构；

在所述第一介质层背离所述衬底的一侧沉积第二介质层；

对所述第二介质层进行刻蚀，形成第一导电结构凹槽以及位于所述第一导电结构凹槽内且贯穿所述第二介质层的第二过孔；所述第二过孔露出所述温度敏感元件的电极；

在所述第一导电结构凹槽以及第二过孔中填充第一导电材料，以形成第一导电结构；所述第一导电结构通过所述第二过孔与所述温度敏感元件电连接；

在所述第二介质层背离所述第一介质层的一侧形成第一隔离介质层；

其中，所述超材料结构和所述第一导电结构构成温度吸收元件；

在所述温度吸收元件背离所述衬底的一侧形成温度传导结构；所述温度传导结构包括传导介质层以及位于所述传导介质层内的温度传导元件；

所述制备方法还包括：

对所述衬底背离所述键合层的一侧进行减薄并刻蚀，去除未形成有所述温度敏感元件的位置处的所述衬底，以露出所述温度敏感元件；

去除所述温度传导结构中的传导介质层，以露出所述温度传导元件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底中形成温度敏感元件，包括：

对所述衬底进行刻蚀，形成像素单元隔离凹槽；

在所述隔离凹槽内填充隔离介质；

在相邻的两个所述隔离凹槽之间的所述衬底中注入N型离子和P型离子，以形成PN结。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的材料相同，且所述第一介质层和所述第二介质层的材料与所述传导介质层的材料不同；

所述第一介质层和所述第二介质层的材料包括碳化硅、无定型碳、氧化硅和氮化硅的至少一种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述传导介质层包括第三介质层和第二隔离介质层；在所述温度吸收元件背离所述衬底的一侧形成温度传导结构，包括：

在所述温度吸收元件背离所述衬底的一侧沉积第三介质层；

对所述第三介质层进行刻蚀，形成第二导电结构凹槽；

在所述第二导电结构凹槽结构中填充第二导电材料，以形成第二导电结构；

在所述第三介质层背离所述衬底的一侧形成第二隔离介质层；

其中，所述第二导电结构构成所述温度传导元件。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述温度传感芯片背离所述衬底的一侧形成键合层之前，还包括：

在所述温度传导结构背离所述衬底的一侧形成反射层；

在所述温度传感芯片背离所述衬底的一侧形成键合层，包括：

在所述温度传感芯片背离所述衬底的一侧形成第四介质层；

对所述第四介质层进行刻蚀，形成第三导电结构凹槽以及位于所述第三导电结构凹槽内且贯穿所述第四介质层的第三过孔；所述第三过孔露出所述反射层；

在所述第三导电结构凹槽和第三过孔中填充第三导电材料，以形成第三导电结构；所述第三导电结构通过所述第三过孔与所述反射层电连接。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述反射层的材料包括钽、氮化钽、钛、氮化钛、镍、铂、钴、镍硅化合物中的一种或者至少两种构成的合金。