[发明专利]一种温度检测装置的制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种温度检测装置的制备方法，通过直接在温度检测装置的温度敏感元件上形成键合层，并基于CIS(CMOS Image Sensor)键合减薄工艺平台，采用混合键合的工艺将信号读取芯片通过键合层与温度传感芯片键合，并对衬底进行减薄，能够简化温度检测装置的制备工艺，提高产品良率，降低成本，实现批量化生产。

技术领域

本发明实施例涉及温度检测技术领域，尤其涉及一种温度检测装置的制备方法。

背景技术

温度传感器时一种能够感受温度，并将所感受的温度转换成可输出信号的传感器。按照测量方式，温度传感器可分为接触式温度传感器和非接触式温度传感器。其中，非接触式温度传感器在测温时，非接触传感器的敏感元件与被测对象互不接触，可用于测量运动物体、小目标和热容量小或温度变化迅速(瞬变)对象的表面温度以及测量温度场的温度分布等。

现有技术中非接触式温度传感器的芯片的不同功能部件需要在不同的工艺产线上制备，这就使得温度传感器芯片制备工艺复杂，产品良率低，制备成本较高。

发明内容

针对上述存在问题，本发明实施例提供一种温度检测装置的制备方法，能够解决现有技术中温度检测装置的制备工艺复杂、成本较高且产品良率低的技术问题。

本发明实施例提供了一种温度检测装置的制备方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧形成温度传感芯片；

在所述温度传感芯片背离所述衬底的一侧形成键合层；

提供一信号读取芯片；

采用混合键合的工艺将所述信号读取芯片通过所述键合层与所述温度传感芯片键合；

其中，在所述衬底的一侧形成温度传感芯片，包括：

在所述衬底中形成温度敏感元件；

在所述衬底形成有温度敏感元件的一侧形成温度吸收元件；

在所述温度吸收元件背离所述衬底的一侧形成温度传导结构；所述温度传导结构包括传导介质层以及位于所述传导介质层内的温度传导元件；

所述制备方法还包括：

对所述衬底背离所述键合层的一侧进行减薄并刻蚀，去除未形成有所述温度敏感元件的位置处的所述衬底，以露出所述温度敏感元件；

去除所述温度传导结构中的传导介质层，以露出所述温度传导元件。

可选的，在所述衬底中形成温度敏感元件，包括：

对所述衬底进行刻蚀，形成像素单元隔离凹槽；

在所述隔离凹槽内填充隔离介质；

在相邻的两个所述隔离凹槽之间的所述衬底中注入N型离子和P型离子，以形成PN结。

可选的，在所述衬底形成有温度敏感元件的一侧形成温度吸收元件，包括：

在所述衬底形成有温度敏感元件的一侧沉积第一介质层；

对所述第一介质层进行刻蚀，形成超材料结构凹槽以及第一过孔；所述第一过孔露出所述温度敏感元件的电极；

在所述超材料结构凹槽中填充超材料，形成超材料结构；

在所述第一介质层背离所述衬底的一侧沉积第二介质层；

对所述第二介质层进行刻蚀，形成第一导电结构凹槽以及位于所述第一导电结构凹槽内且贯穿所述第二介质层的第二过孔；所述第二过孔露出所述温度敏感元件的电极；