[发明专利]一种硅片脱胶机及其控制方法在审
申请号: | 201910436320.4 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110137113A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 张红霞;梁宇飞;白建军;郭志荣 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C02F1/00 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 储水箱 喷淋水 连通 二级过滤箱 硅片脱胶机 三级过滤 一级过滤 排出 三槽 纯水源 箱排 过滤 废水 加热器 位置传感器 硅片表面 控制器 回收 可循环 喷淋槽 硅片 槽排 喷淋 加热 补给 储存 检测 | ||
1.一种硅片脱胶机,包括依次设置的一槽、二槽和三槽,其特征在于,还包括:
一级过滤箱:所述一级过滤箱与所述一槽连通,用于回收所述一槽排出的废水;
二级过滤箱:所述二级过滤箱与所述一级过滤箱连通,用于过滤所述一级过滤箱排出的水;
三级过滤箱:所述三级过滤箱分别与所述二级过滤箱和所述三槽连通,用于过滤所述二级过滤箱排出的水和回收所述三槽排出的废水;
储水箱:所述储水箱与所述三级过滤箱和所述一槽连通,用于储存从所述三级过滤箱排出的水,并向所述一槽提供喷淋水;
加热器:所述加热器设置在所述储水箱和所述一槽之间,用于加热从所述储水箱排出的水;
纯水源:与所述二槽、所述三槽和所述储水箱连通,用于向所述二槽和所述三槽提供喷淋水,向所述储水箱补给喷淋水;
所述一级过滤箱、所述二级过滤箱、所述三级过滤箱和所述储水箱均设有水泵、控制阀和液位传感器;
控制器:用于控制所述水泵和所述控制阀的工作状态,并通过设置在所述一槽、所述二槽和所述三槽中的位置传感器以检测有无硅片在喷淋槽中喷淋,从所述储水箱和/或所述纯水源中排出喷淋水。
2.根据权利要求1所述的一种硅片脱胶机,其特征在于,所述二槽与所述二级过滤箱和/或所述三级过滤箱连通,用于向所述二级过滤箱和/或所述三级过滤箱排入废水。
3.根据权利要求2所述的一种硅片脱胶机,其特征在于,还包括设置在所述一槽、所述二槽和所述三槽排水口处的第一过滤网,和设置在所述一级过滤箱、所述二级过滤箱和所述三级过滤箱内部的第二过滤网,所述第一过滤网的孔径大于所述第二过滤网的孔径。
4.根据权利要求3所述的一种硅片脱胶机,其特征在于,所述一级过滤箱、所述二级过滤箱和所述三级过滤均设有进水口,所述进水口设置在所述第二过滤网上方。
5.根据权利要求4所述的一种硅片脱胶机,其特征在于,所述一级过滤箱、所述二级过滤箱和所述三级过滤均设有排水口,所述排水口设置在所述第二过滤网下方。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种硅片脱胶机,其特征在于,在所述加热器处设有温度传感器,所述加热器温度为25-45℃。
7.根据权利要求6所述的一种硅片脱胶机,其特征在于,所述加热器温度为30℃。
8.根据权利要求7所述的一种硅片脱胶机,其特征在于,所述一槽的喷淋时间为800-1000s;所述二槽和所述三槽的喷淋时间为500-700s。
9.根据权利要求7或8所述的一种硅片脱胶机,其特征在于,所述一槽、所述二槽和所述三槽相互独立设置。
10.一种硅片脱胶机的控制方法,用于权利要求1-9中任一项所述的硅片脱胶机,其特征在于,步骤如下:
S1:所述一槽中的废水经排水管排入所述一级过滤箱中;
S2:所述二槽中的废水经排水管排入所述二级过滤箱和/或所述三级过滤箱中;
S3:所述三槽中的废水经排水管排入所述三级过滤箱中;
S4:经所述一级过滤箱过滤后的水经排水管进入所述二级过滤箱中;
S5:经所述二级过滤箱过滤后的水经排水管进入所述三级过滤箱中;
S6:经所述三级过滤箱过滤后的水经排水管进入所述储水箱中;且所述纯水源与所述储水箱连通并向所述储水箱补给水;
S7:所述储水箱中的水经所述加热器加热后进入所述一槽内;
S8:所述纯水源经排水管分别向所述二槽和所述三槽提供水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造