[发明专利]一种硅片脱胶机及其控制方法在审
申请号: | 201910436320.4 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110137113A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 张红霞;梁宇飞;白建军;郭志荣 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C02F1/00 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 储水箱 喷淋水 连通 二级过滤箱 硅片脱胶机 三级过滤 一级过滤 排出 三槽 纯水源 箱排 过滤 废水 加热器 位置传感器 硅片表面 控制器 回收 可循环 喷淋槽 硅片 槽排 喷淋 加热 补给 储存 检测 | ||
本发明提供一种硅片脱胶机,包括一级过滤箱与一槽连通,用于回收一槽排出的废水;二级过滤箱与一级过滤箱连通,用于过滤一级过滤箱排出的水;三级过滤箱分别与二级过滤箱和三槽连通,用于过滤二级过滤箱排出的水和回收三槽排出的废水;储水箱与三级过滤箱和一槽连通,用于储存从三级过滤箱排出的水,并向一槽提供喷淋水;加热器设置在储水箱和一槽之间,用于加热从储水箱排出的水;纯水源向储水箱补给喷淋水;控制器通过设置在一槽、二槽和三槽中的位置传感器以检测有无硅片在喷淋槽中喷淋,从储水箱和/或纯水源中排出喷淋水。本发明还提出一种硅片脱胶机的控制方法。本发明可改善硅片表面质量,喷淋水可循环利用,降低生产成本,提高产品质量。
技术领域
本发明属于太阳能级单晶硅片脱胶技术领域,尤其是涉及一种硅片脱胶机及其控制方法。
背景技术
在太阳能硅片生产过程中,对硅片表面质量要求高,而脱胶工序为线切和清洗的辅助工序,脱胶工艺直接影响着后续硅片清洗硅片的表面质量。现有脱胶机中,从切割机中卸下的硅片与树脂板一起进入喷淋槽中进行喷淋预清洗,目的是去除硅片表面粘附的硅粉和切割液,同时对树脂板上的胶进行软化,其中,切割液是用金刚石切割线切割硅棒时所用的冷却液,含纯水率为98%-99%。在整体喷淋过程中,喷淋时间不能太长,避免硅片长久在喷枪水压下出现隐裂,导致硅片碎片量增多;但亦不能喷淋时间太短,过短会导致硅片表面粘附的硅粉和切割液清除不干净,导致后续浸泡脱胶质量差。因硅片喷淋为自动线生产设置,喷淋槽设置少会使被切好的硅片堆积,喷淋槽设置数量多会延长硅片喷淋时间,导致硅片坠落。故在现有工艺中共设有三个喷淋槽,每组硅片均依次经过三次喷淋后再进行浸泡脱胶,喷淋液均为纯水,在一槽中因硅片表面所含硅粉较多,故初始喷淋时间较第二次、第三次喷淋时间长,冲洗掉的硅粉含量较多,导致一槽用水量最大,二槽和三槽的喷淋时间较短,用水量较少。
但在喷淋过程中发现,在一槽喷淋后期水压逐渐降低,导致喷水量小,无法满足喷淋要求,不能冲洗到硅片与树脂板连接的根部区域;同时,还发现在喷淋过程中,因喷淋液的水温变化较大,在温度较低时清洗效果差,出现花斑片,而在温度较高时,清洗效果好,但成本较高;还有,三个喷淋槽用水量较大,直接排掉不仅增加生产成本,而且还浪费资源。
发明内容
本发明要解决的问题是提供一种硅片脱胶机及其控制方法,尤其是适用于喷淋槽工序喷淋液的回收装置及其控制,解决了现有技术中喷淋工序中喷淋效果差,无法满足现有生产技术要求,喷淋水利用率低的技术问题,目的是为了改善硅片表面质量,降低了生产成本,提高了产品质量。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
一种硅片脱胶机,包括依次设置的一槽、二槽和三槽,还包括:
一级过滤箱:所述一级过滤箱与所述一槽连通,用于回收所述一槽排出的废水;
二级过滤箱:所述二级过滤箱与所述一级过滤箱连通,用于过滤所述一级过滤箱排出的水;
三级过滤箱:所述三级过滤箱分别与所述二级过滤箱和所述三槽连通,用于过滤所述二级过滤箱排出的水和回收所述三槽排出的废水;
储水箱:所述储水箱与所述三级过滤箱和所述一槽连通,用于储存从所述三级过滤箱排出的水,并向所述一槽提供喷淋水;
加热器:所述加热器设置在所述储水箱和所述一槽之间,用于加热从所述储水箱排出的水;
纯水源:与所述二槽、所述三槽和所述储水箱连通,用于向所述二槽和所述三槽提供喷淋水,向所述储水箱补给喷淋水;
所述一级过滤箱、所述二级过滤箱、所述三级过滤箱和所述储水箱均设有水泵、控制阀和液位传感器;
控制器:用于控制所述水泵和所述控制阀的工作状态,并通过设置在所述一槽、所述二槽和所述三槽中的位置传感器以检测有无硅片在喷淋槽中喷淋,从所述储水箱和/或所述纯水源中排出喷淋水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造