[发明专利]一种基于RRAM的乘法器及其操作方法有效
申请号: | 201910436604.3 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110175017B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 朱晓雷;周旋;陈冰;赵毅 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G06F7/53 | 分类号: | G06F7/53 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 郑海峰 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 rram 乘法器 及其 操作方法 | ||
本发明公开了一种基于RRAM的乘法器及其操作方法。基于RRAM的乘法器包括:RRAM阵列、放大器、RS触发器阵列和加法器模块。1)将所有BL线置‑1V,所有WL线置1V,持续1ns,将被乘数和乘数分别加在BL[7:0]、WL[7:0]线上,某一位乘数和某一位被乘数的积为中间结果,被写入RRAM阵列中;分别置读电压于RRAM阵列中的每列RRAM上,读出的RRAM内存储的中间结果经过放大器放大后被存入RS触发器阵列中;RS触发器阵列的输出作为加法器的输入,经过N个读周期后,加法器计算出乘法的最终结果;其中N为RRAM阵列的列数。本发明所提出的乘法器,基于阻性非易失新型存储器RRAM,具有功耗、时间表现较好的特点,并扩展了新型存储器件RRAM在基础电路中的应用范围。
技术领域
本发明属于模拟集成电路设计领域,涉及一种基于RRAM的乘法器及其操作方法。
背景技术
近年来各种新型存储器件逐渐完善,进入公众视野,具有未来进入主流存储器市场的可能。如果例如RRAM的新型存储器进入市场,为了进行近内存计算,则需要很多基于这些新型存储器器件的基础电路。所以,本发明提出了基于RRAM的乘法器。基于RRAM的乘法器的第一部分计算在RRAM阵列中完成,第二部分的近内存计算在基于CMOS的加法器中完成,功耗性能较好,一次计算消耗能量约2.116nJ,速度也比较快,最差情况一次计算需要1.6us。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提出了一种基于RRAM的乘法器及其操作方法。为实现上述目的,本发明的技术方案如下:
本发明首先公开了一种基于RRAM的乘法器,包括:RRAM阵列;与RRAM阵列输出端相连的放大器;与放大器输出端相连的RS触发器阵列;与RS触发器阵列的输出端相连的加法器模块。
优选的,所述的RRAM阵列是crossbar结构,包括了8×8个RRAM,每个RRAM均位于BL[7:0]、WL[7:0]中任意两条线的交点处;BL[7:0]是输入乘数的端口,每根BL线都连接了一列RRAM的正极,而WL[7:0]是输入被乘数的端口,每根BL线都连接了一列RRAM的负极;每根WL线的最左侧串有一个电阻,用于在读步骤读出RRAM内存储的信息。
优选的,所述的RS触发器阵列含有8×8个RS触发器,用于存储从RRAM阵列读出的中间结果;每8个RRAM共享一根WL线用于读出,所以需要8个读周期完成8×8RRAM阵列的读出工作;由于RRAM阵列内的信息只能一次读出一列,所以需要RS触发器存储RRAM的数据,便于将中间结果输入到加法器。
本发明还公开了一种所述的基于RRAM的乘法器的操作方法,包括如下步骤:
1)将所有BL线置-1V,所有WL线置1V,持续1ns,
2)将被乘数和乘数分别加在BL[7:0]、WL[7:0]线上,某一位乘数和某一位被乘数的积为中间结果,被写入RRAM阵列中;
3)分别置读电压于RRAM阵列中的每列RRAM上,读出的RRAM内存储的中间结果经过放大器放大后被存入RS触发器阵列中;
4)RS触发器阵列的输出作为加法器的输入,经过N个读周期后,加法器计算出乘法的最终结果;其中N为RRAM阵列的列数,此8×8乘法器中N=8。
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