[发明专利]具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

半导体鳍片，其在衬底上方并且具有在第一方向上的长度；

在半导体鳍片上方的纳米线；

在纳米线和半导体鳍片上方的栅极结构，栅极结构具有与第二方向上的第二端相对的第一端，所述第二方向垂直于第一方向；以及

一对栅极端盖隔离结构，其中该对栅极端盖隔离结构中的第一个与半导体鳍片的第一侧等距间隔开，同时该对栅极端盖隔离结构中的第二个与半导体鳍片的第二侧间隔开，其中，该对栅极端盖隔离结构中的第一个直接邻近于栅极结构的第一端，并且该对栅极端盖隔离结构中的第二个直接邻近于栅极结构的第二端。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括：

在栅极结构的任一侧上，邻近纳米线和半导体鳍片的源极和漏极区域；以及

在源极区域上方的第一沟槽触点和在漏极区域上方的第二沟槽触点。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，进一步包括：

第二半导体鳍片，其在衬底上方并且具有在第一方向上的长度，第二半导体鳍片与第一半导体鳍片间隔开；

在第二半导体鳍片上方的第二纳米线；

在第二纳米线和第二半导体鳍片上方的第二栅极结构，第二栅极结构具有在第二方向上与第二端相对的第一端，其中，该对栅极端盖隔离结构中的第二个直接邻近于第二栅极结构的第一端；以及

第三栅极端盖隔离结构，其直接邻近于第二栅极结构的第二端，其中，第三栅极端盖隔离结构和该对栅极端盖隔离结构中的第二个以第二半导体鳍片为中心。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，进一步包括：

局部互连，其在第一和第二栅极结构上方并电耦合第一和第二栅极结构。

5.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，第二纳米线比纳米线宽。

6.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，栅极结构包括高k栅极电介质层和金属栅电极。

7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，该对栅极端盖隔离结构包括从由以下各项组成的组选择的材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅及其组合。

8.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，该对栅极端盖隔离结构包括下电介质部分和在下电介质部分上的电介质盖。

9.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，该对栅极端盖隔离结构中的至少一个包括位于其中的中心的垂直接缝。

10.一种集成电路结构，包括：

第一鳍片，其沿第一方向具有最长尺寸；

在第一鳍片上方的第一纳米线；

第二鳍片，其沿第一方向具有最长尺寸；

在第二鳍片上方的第二纳米线；

在第一纳米线和第一鳍片上方的第一栅极结构，第一栅极结构沿第二方向具有最长尺寸，第二方向垂直于第一方向；

在第二纳米线上方和在第二鳍片上方的第二栅极结构，第二栅极结构沿第二方向具有最长尺寸，第二栅极结构沿第二方向与第一栅极结构不连续，并且第二栅极结构沿第二方向具有面对第一栅极结构的边缘的边缘；以及

栅极端盖隔离结构，其沿第二方向在第一栅极结构的边缘和第二栅极结构的边缘之间并与第一栅极结构的边缘和第二栅极结构的边缘接触，栅极端盖隔离结构具有大于沿第一方向的第一栅极结构和第二栅极结构的长度的沿第一方向的长度。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，第二纳米线比纳米线宽。

12.根据权利要求10或11所述的集成电路结构，其中，栅极端盖隔离结构包括下电介质部分和在下电介质部分上的电介质盖。

13.根据权利要求10或11所述的集成电路结构，其中，栅极端盖隔离结构包括位于其中的中心的垂直接缝。