[发明专利]一种带有多级过滤钇源大颗粒反应物机构的MOCVD装置在审
申请号: | 201910439518.8 | 申请日: | 2019-05-24 |
公开(公告)号: | CN110172679A | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 夏佑科 | 申请(专利权)人: | 苏州新材料研究所有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴;吴音 |
地址: | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多级过滤 真空泵 过滤 大颗粒 反应物 真空镀膜腔室 过滤出口 过滤网 钇源 连通 镀膜工艺 粉尘脱落 使用寿命 凸轮机构 成品率 钇原子 目数 电机 残留 保证 | ||
本发明公开了一种带有多级过滤钇源大颗粒反应物机构的MOCVD装置,包括真空镀膜腔室,真空泵和多级过滤机构;所述多级过滤机构下部设置有过滤入口;所述多级过滤机构上部设置有过滤出口;所述过滤入口与真空镀膜腔室连通;所述过滤出口真空泵连通。本案经过不同目数的过滤网多级过滤后,解决多余钇原子大颗粒反应物进入真空泵问题;同时过滤网上方增加了凸轮机构和电机,将残留在过滤网上的粉尘脱落下来,延长过滤网使用寿命;有效保护真空泵,保证MOCVD中镀膜工艺的成品率和效率。
技术领域
本发明涉及真空镀膜工艺设备,尤其是涉及一种可以过滤钇源大颗粒反应物的MOCVD装置。
背景技术
在MOCVD中制备工艺上添加钇源,可以有效地制备出超导带材,来提高电流,目前带材是真空环境下通过真空镀膜工艺(称作MOCVD)中镀膜工艺钇源反应后,剩余成分被真空泵抽出腔体外,由于钇源和其他物质反应后有大量原子,直接抽入真空泵后,会聚集在真空泵的转子上,导致真空泵只能工作3个月,影响真空泵使用寿命。
发明内容
本发明目的是:提供了一种带有多级过滤钇源大颗粒反应物功能,装卸方便快捷,工作效率高,实用寿命长的MOCVD装置。
本发明的技术方案是:一种带有多级过滤钇源大颗粒反应物机构的MOCVD装置,包括真空镀膜腔室,真空泵和多级过滤机构;所述多级过滤机构下部设置有过滤入口;所述多级过滤机构上部设置有过滤出口;所述过滤入口与真空镀膜腔室连通;所述过滤出口真空泵连通。
优选的,所述多级过滤机构包括过滤底座、过滤外筒、过滤内筒和过滤盖;所述过滤底座上设置有过滤外筒;所述过滤外筒内壁上设置有内檐;所述内檐位于过滤出口下方;所述过滤内筒设置在内檐上;所述过滤内筒上放置有过滤内桶固定架;所述过滤盖盖在过滤外筒上并压紧滤内桶固定架;所述过滤内筒中心竖直设置有中心轴;所述过滤内筒与中心轴之间设置多层过滤网;所述过滤盖的下部设置有驱动器;所述驱动器连接有凸轮,并驱动凸轮转动;所述凸轮边缘与中心轴接触。
优选的,所述过滤网为倾斜设置。
优选的,所述过滤网由下至上的目数增大;所述过滤网的目数为10目-60目。
优选的,所述过滤内筒的下部表面均匀设置有筛孔。
优选的,所述过滤内筒上端设置有提手。
优选的,所述过滤内筒的底部位于过滤入口上方。
优选的,所述过滤网至少设置有五层。
优选的,所述过滤入口和过滤出口位于多级过滤机构相对的两侧。
本发明的优点是:
1、经过不同目数的过滤网多级过滤后,解决多余钇原子大颗粒反应物进入真空泵问题;
2、同时过滤网上方增加了凸轮机构和电机,将残留在过滤网上的粉尘脱落下来,延长过滤网使用寿命;
3、有效保护真空泵,保证MOCVD中镀膜工艺的成品率和效率。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:
图1一种带有多级过滤钇源大颗粒反应物机构的MOCVD装置的主视结构示意图;
图2为图1中A-A面剖视结构示意图;
图3为图2中C处的放大图;
图4为图1中B-B面剖视结构示意图;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的