[发明专利]半透光掩膜版

权利要求书

1.一种光阻层的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积一层光阻；

采用半透光掩膜版对所述光阻进行曝光；所述半透光掩膜版包括透光区、遮光区、半透光区，以及位于所述遮光区内的遮光层和位于所述半透光区内的光谱调制层，所述光谱调制层为稀土配合物掺杂的透明薄膜，所述光谱调制层用于将曝光光线中位于第一波长范围的光线转换成第二波长范围的光线，所述第一波长范围的光线能激发所述光阻发生反应，所述第二波长范围的光线不能激发所述光阻发生反应；

去除发生反应的所述光阻，得到图案化的所述光阻层；其中，半透光区对应的区域内，发生反应部分的所述光阻被去除，未发生反应部分的所述光阻得到保留。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光谱调制层的厚度均匀一致。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光谱调制层的厚度与所述遮光层的厚度相同。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述稀土配合物的掺杂密度，从所述光谱调制层的两边向所述光谱调制层的中间递减。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述稀土配合物的掺杂密度，从所述光谱调制层的两边向所述光谱调制层的中间递增。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述光谱调制层内，所述稀土配合物的掺杂密度相同，且存在至少两个位置的所述光谱调制层的厚度不同。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述光谱调制层的厚度，从所述光谱调制层的两边向所述光谱调制层的中间递减。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述光谱调制层的厚度，从所述光谱调制层的两边向所述光谱调制层的中间递增。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光谱调制层部分覆盖所述遮光层。