[发明专利]半透光掩膜版

说明书

本发明提供一种半透光掩膜版，其包括透光区、遮光区、以及半透光区，位于半透光区内的基板上设置有光谱调制层，该光谱调制层为掺杂了特定稀土配合物，可以将曝光照射光线中位于第一波长范围内的光线，转换成不能激发光阻发生反应的第二波长范围的光线。从而实现了半透光区曝光照射能量的减弱，达到了半透光的效果，且可以通过调节稀土配合物的种类、掺杂密度、以及光谱调制层的厚度等影响因子，来达到不同的光波转换率，以实现不同光阻层厚的控制。本发明提供的半透光掩膜版，半掩膜效果精准可控，且工艺简单、成本低，缓解了现有半透光掩膜版存在制备工艺复杂，成本高的问题。

技术领域

本发明涉及显示器制备领域，尤其涉及一种半透光掩膜版。

背景技术

半透光掩膜版由于兼备不透光、全透光、半透光的特性，在图案化制程可减少曝光显影次数，简化制备程序，已经普遍应用于显示器件的制备领域。

然而，由于半透光区域的存在，尤其是半透光区域和不透光区域交界处爬坡区域的存在，使得半透光掩膜版的设计和制作工艺难度大，制作成本高。

因此，现有半透光掩膜版存在制备工艺复杂，成本高的问题，有待解决。

发明内容

本发明提供一种半透光掩膜版，以缓解现有半透光掩膜版存在制备工艺复杂，成本高的问题。

为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种半透光掩膜版，用于刻蚀光阻，包括透光区、遮光区、以及半透光区，其特征在于，所述半透光掩膜版包括：

基板；

设置在基板上且位于遮光区内的遮光层；

设置在基板上且位于半透光区内的光谱调制层，用于将曝光照射光线中位于第一波长范围内的光线，转换成第二波长范围的光线，所述第二波长范围内的光线不能激发光阻发生反应。

在本发明提供的半透光掩膜版中，所述光谱调制层为稀土配合物掺杂的透明薄膜。

在本发明提供的半透光掩膜版中，在所述光谱调制层内，所述稀土配合物在不同位置的掺杂参数不同。

在本发明提供的半透光掩膜版中，所述稀土配合物在不同位置的掺杂密度不同。

在本发明提供的半透光掩膜版中，所述稀土配合物的掺杂密度，从所述光谱调制层的两边向所述光谱调制层的中间递减。

在本发明提供的半透光掩膜版中，所述稀土配合物的掺杂密度，从所述光谱调制层的两边向所述光谱调制层的中间递增。

在本发明提供的半透光掩膜版中，在所述光谱调制层内，存在至少两个位置的所述光谱调制层的厚度不同。

在本发明提供的半透光掩膜版中，所述光谱调制层的厚度，从所述光谱调制层的两边向所述光谱调制层的中间递减。

在本发明提供的半透光掩膜版中，所述光谱调制层的厚度，从所述光谱调制层的两边向所述光谱调制层的中间递增。

在本发明提供的半透光掩膜版中，所述光谱调制层部分覆盖所述遮光层。

本发明的有益效果为：本发明提供一种半透光掩膜版，其包括透光区、遮光区、以及半透光区，位于半透光区内的基板上设置有光谱调制层，该光谱调制层为掺杂了特定稀土配合物，可以将曝光照射光线中位于第一波长范围内的光线，转换成不能激发光阻发生反应的第二波长范围的光线。从而实现了半透光区曝光照射能量的减弱，达到了半透光的效果，且可以通过调节稀土配合物的种类、掺杂密度、以及光谱调制层的厚度等影响因子，来达到不同的光波转换率，以实现不同光阻层厚的控制。本发明提供的半透光掩膜版，半掩膜效果精准可控，且工艺简单、成本低，缓解了现有半透光掩膜版存在制备工艺复杂，成本高的问题。

附图说明