[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开公开一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基部、多个岛，以及一隔离层。该多个岛中的至少一个包括从该基部的一上表面延伸的一支柱、连接到该支柱的一突起、设置在该突起上方的一封盖层、以及设置在该突起和该封盖层的一侧壁上的一钝化衬垫。该隔离层围绕该岛。

技术领域

本公开主张2018/12/20申请的美国临时申请案第62/782,662号及2019/03/08申请的美国正式申请案第16/296,627号的优先权及益处，该美国临时申请案及该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开关于一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

半导体元件和集成电路正在变得更加高度密集。因此，正在进行的研究旨在改善这些元件和电路的特性，并确保所需的工艺优势。在半导体存储元件中，随着这种元件的存储容量的增加，元件中图案的关键尺寸减小。因此，用于在芯片上形成图案的光学光刻工艺是半导体工艺的重要组成部分。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开提供一种半导体结构，包括一基部、多个岛；以及一隔离层。该多个岛中的至少一个包括一支柱、一突起、一封盖层和一钝化衬垫。该支柱从该基部的一上表面延伸，该突起连接到该支柱，该封盖层设置在该突起上，该钝化衬垫设置在该突起和该封盖层的一侧壁上。该隔离层环绕该岛。

在一些实施例中，该岛的一高度在180到400nm之间。

在一些实施例中，该突起的一高度在30到200nm之间。

在一些实施例中，该半导体结构还包括夹在该突起和该封盖层之间的一绝缘层，该绝缘层的一侧壁被该钝化衬垫覆盖。

在一些实施例中，该基部，该支柱和该突起一体地形成。

在一些实施例中，该封盖层的一顶表面与该隔离层的一上表面共面。

本公开另提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供一支撑基底；在该支撑基底上形成一封盖层和一硬遮罩叠层；图案化该硬遮罩叠层以形成覆盖该封盖层的多个块体；使用该块体作为遮罩，图案化该封盖层以形成一剩余封盖层；通过该剩余封盖层图案化该支撑基底以形成多个突起；沉积一钝化衬垫在该剩余封盖层和该突起的一侧壁的上方；将剩余的该支撑基底图案化以形成该突起下面的多个支柱；以及沉积一第一隔离层以包围该支柱、该突起和该剩余封盖层。

在一些实施例中，该硬遮罩叠层包括与该封盖层接触的一第一子叠层和设置在该第一子叠层上的一第二子叠层，并且图案化该硬遮罩叠层以形成该块体包括：图案化该第二子叠层以形成彼此以一给定距离间隔开的多个条带；在该条带上沉积一牺牲层；图案化该牺牲层以在该条带上形成多个通孔；使用剩余的该牺牲层作为遮罩，在该第二子叠层内形成多个开口；以及使用剩余的该第二子叠层做为遮罩，图案化该第一子叠层。

在一些实施例中，该条带包括一两层的结构和一三层的结构交错配置。

在一些实施例中，该牺牲层的图案化包括：涂覆一光刻胶层，该光刻胶层具有设置在该牺牲层上方的该条带上的多个通孔；以及去除通过该通孔曝露的该牺牲层的一部分。

在一些实施例中，该制造方法还包括在涂覆该光刻胶层之前，在一下伏层上沉积一抗反射涂层。

在一些实施例中，沉积该钝化衬垫在该封盖层和该突起的侧壁包括：在该封盖层的一顶表面、该封盖层和该突起的该侧壁上，以及该支撑基底的一上表面上沉积一钝化衬垫；以及去除该封盖层的该顶表面和该支撑基底的该上表面上的该钝化衬垫。

在一些实施例中，该钝化衬垫具有一均匀的厚度。