[发明专利]掩膜版及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及一种掩膜版及其制造方法，掩膜版包括：基板；图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；透光盖板，所述透光盖板设置于所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。本发明能够显著改善掩膜版质量，提高掩膜版的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩膜版及其制造方法。

背景技术

图形化技术是集成电路制造领域常用的技术之一。图形化技术中重要的一个环节包括，采用包含电路设计信息的掩膜版(mask)进行光刻技术，将电路设计信息转移到晶圆(wafer)上，其中的掩膜版也称为光刻胶版、光刻掩膜版或者光罩。

掩膜版包括对曝光光线具有透光性的基板以及位于基板上的图形层，所述图形层包括对曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，可进行有选择地遮挡照射到晶圆表面的光刻胶(PR)上的光线，最终在晶圆表面的光刻胶上形成相应的图案。掩膜版的质量会直接影响所形成的光刻胶图案的质量。

然而，现有技术提供的掩膜版的质量较差。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种掩膜版及其制造方法，改善掩膜版的质量。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜版，包括：基板；图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；透光盖板，所述透光盖板设置在所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。

本发明实施例还提供一种掩膜版的制造方法，包括：提供基板；在所述基板上形成图形层，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；提供透光盖板；将所述透光盖板固定连接于所述外围区上，且所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供一种结构性能优越的掩膜版，位于基板上的图形层具有图形区和外围区，透光盖板设置在外围区的图形层上，且透光盖板、基板与外围区的图形层围成掩膜腔室，图形区的图形层位于所述掩膜腔室内。透光盖板具有高强度以及高的耐磨性，因此所述透光盖板的使用寿命长，从而使得透光盖板能够持续有效的对图形区的图形层提供保护作用，防止杂质附着到图形区的图形层上，进而显著的提高掩膜版的使用寿命，改善掩膜版的质量。

另外，还包括贯穿粘附层的至少一个排气孔，所述排气孔连通掩膜腔室与外界，从而减小掩膜腔室与外界之间的压强差，当掩膜版受热造成掩膜腔室内气体发生膨胀时，所述排气孔能够及时将气体排出，避免气体膨胀对图形区的图形层的图形造成不良影响，从而进一步的改善掩膜版的质量。

另外，图形区的图形层顶面与透光盖板朝向图形层的表面之间具有间隙，保证透光盖板不会触碰到图形层，避免对图形层的形貌造成影响，从而有利于进一步的改善掩膜版的质量。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为一种掩膜版的剖面结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的掩膜版的俯视结构示意图；

图3为图2中沿AA1方向切割的剖面结构示意图；

图4为本发明另一实施例提供的掩膜版的俯视结构示意图；

图5为图4中沿BB1方向切割的剖面结构示意图；