[发明专利]一种蝴蝶兰脱毒苗培养繁殖方法

权利要求书

1. 一种蝴蝶兰脱毒苗培养繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）材料选取

选用生长健壮、经检测后携带病毒的蝴蝶兰植株，除去叶片留取茎；

（2）材料消毒

将步骤（1）中留取的蝴蝶兰茎用水冲洗后，用质量分数为70%的酒精溶液浸泡，再用质量分数为1.0%次氯酸钠溶液消毒10-30分钟后，用无菌水冲洗；最后用质量分数为0.1%的升汞溶液浸泡5-15min，用无菌水冲洗；

所述升汞溶液中加有吐温，吐温在升汞溶液中的质量分数为0.08%-0.12%；

（3）材料预处理

将消毒后的蝴蝶兰茎浸泡在1-2g/L壳聚糖溶液中20-30min；

（4）初代培养

将步骤（3）中处理过的蝴蝶兰茎切取茎尖，切取大小为0.2-1 mm，留取1个叶原基；接种于初代培养基上培养，培养温度24-26°C，先暗培养2周，再置于光照为1500-5000LX的环境下培养2个月，光照时间为10-16h/日，待两片真叶展开形成丛生芽；

所述初代培养基组分为：1/3MS+3.5mg/L6-BA+0.5mg/LNAA+0.3mg/LGA3+15g/L蔗糖+100mL/L椰汁+4.5-5.5g/L琼脂+0.1g/LVC+20mg/LPVP，pH为5.4-5.8；

（5）继代培养

将步骤（4）中生长出的丛生芽进行病毒检测，挑选出病毒阴性丛生芽转入继代培养基继代培养1个月，培养温度24-26°C，光照时间为12h/d，光照强度为1500-2000lx；

所述继代培养基组分为：1/3MS+5mg/L6-BA+0.1-0.3mg/LNAA+0.3mg/LGA3+20g/L蔗糖+50mL/L柠檬汁+0.1g/LVC+1-2g/L壳聚糖，pH为5.4-5.8；

（6）壮苗培养：

继代培养后，选择高2cm以上、基部有明显突起的小苗转入壮苗培养基中培养10-15天，培养温度24-26°C，光照时间为13h/d，光照强度为1500-8000lx；

所述壮苗培养基为：1/2MS+0.1mg/LNAA+0.1mg/LGA3+30-35g/L蔗糖+0.1g/LVC+100mL/L柠檬汁，pH为5.4-5.8；

（7）生根培养：

将步骤（6）获得的壮苗植株新梢基部浸入50-100mg/L的IBA中4-8h，然后转入生根培养基中进行生根培养，培养温度24-26°C，光照时间为13h/d，光照强度为5000-15000lx；

所述生根培养基组分为：1/2MS+100mL/L椰汁+40g/L土豆泥+20g/L蔗糖+30mg/L活性炭，pH5.4-5.8；

（8）移栽

待步骤（7）中的壮苗生长至4-5cm高、根系3条以上、叶1-2片时，将壮苗放在自然光下炼苗5-7天；然后取出培养苗，用无菌水清洗根部，然后移栽至培养基质中，保持湿度和通风，空气湿度为75-85％，温度为20-25°C，光照5000-20000lx。

2.根据权利要求1中的蝴蝶兰脱毒苗培养繁殖方法，其特征在于，步骤（2）中所述无菌水冲洗次数为5-10次。

3.根据权利要求1中的蝴蝶兰脱毒苗培养繁殖方法，其特征在于，步骤（2）中酒精浸泡时间为10-30s。

4.根据权利要求1中的蝴蝶兰脱毒苗培养繁殖方法，其特征在于，所述吐温为吐温-20或吐温-80。

5.根据权利要求1中的蝴蝶兰脱毒苗培养繁殖方法，其特征在于，所述茎尖的切取大小为0.2-0.4mm。