[发明专利]光敏传感器及制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种光敏传感器，其特征在于，包括：

第一类型半导体层；

本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层的一侧；

第二类型半导体层，所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧，

其中，所述本征半导体层中具有能够产生表面等离激元效应的金属粒子，所述金属粒子分散分布在所述本征半导体层中，所述本征半导体层包括层叠设置的第一部和第二部，所述第一部靠近光入射所述光敏传感器的一侧，位于所述第一部中的金属粒子的排布密度大于位于所述第二部中的金属粒子的排布密度。

2.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述金属粒子包括金、银、铜、铂以及铝的至少之一。

3.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一部的厚度为1000-3000埃米。

4.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一部中每间隔200-600埃米的厚度处设置有一层所述金属粒子，所述第二部中每间隔1000-2000埃米的厚度处设置有一层所述金属粒子。

5.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述第二类型半导体层位于光入射所述光敏传感器的一侧，所述第二类型半导体层由透明半导体材料构成，所述第二类型半导体层和所述本征半导体层的界面处设置有所述金属粒子。

6.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，所述第一类型半导体层为P型半导体层，所述第二类型半导体层为N型半导体层，所述第一类型半导体层的厚度为1000-3000埃米，所述第二类型半导体层的厚度为500-2000埃米。

7.根据权利要求1所述的光敏传感器，其特征在于，进一步包括：

第一电极，所述第一电极设置在所述第一类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧；

第二电极，所述第二电极位于所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧。

8.根据权利要求1-7任一项所述的光敏传感器，其特征在于，所述光敏传感器为指纹识别传感器。

9.一种制作光敏传感器的方法，其特征在于，包括：

形成第一类型半导体层；

在所述第一类型半导体层的一侧形成本征半导体层，所述本征半导体层中具有能够产生表面等离激元效应的金属粒子，所述金属粒子分散分布在所述本征半导体层中；

在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧形成第二类型半导体层，

所述本征半导体层包括层叠设置的第一部和第二部，所述第一部靠近光入射所述光敏传感器的一侧，位于所述第一部中的金属粒子的排布密度大于位于所述第二部中的金属粒子的排布密度。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二类型半导体层位于光入射所述光敏传感器的一侧，形成所述本征半导体层包括：

在所述第一类型半导体层的一侧沉积第一非晶硅层；

在所述第一非晶硅层远离所述第一类型半导体层的一侧沉积所述金属粒子，并在所述金属粒子远离所述第一非晶硅层的一侧沉积第二非晶硅层，

依次重复沉积所述金属粒子和所述第二非晶硅层的步骤，直至所述第二非晶硅层和所述第二类型半导体层的界面处形成有所述金属粒子，以便获得所述本征半导体层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述本征半导体层中，所述第一部的厚度为1000-3000埃米，所述第一部中相邻两层所述金属粒子之间的非晶硅层的厚度为200-600埃米，所述第二部中相邻两层所述金属粒子之间的非晶硅层的厚度为1000-2000埃米。