[发明专利]光敏传感器及制作方法、显示面板

说明书

本发明公开了光敏传感器及制作方法、显示面板。该光敏传感器包括：第一类型半导体层；本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层的一侧；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧，其中，所述本征半导体层中具有能够产生表面等离激元效应的金属粒子，所述金属粒子分散分布在所述本征半导体层中。由此，该光敏传感器具有较高的信噪比和灵敏度，显著提升用户的使用体验。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及光敏传感器及制作方法、显示面板。

背景技术

指纹识别传感器按传感原理可分为光学指纹传感器、半导体电容传感器、半导体热敏传感器、半导体压感传感器、超声波传感器和射频传感器等。目前，指纹识别传感器广泛应用在移动产品(如手机、平板电脑等)中，以增强移动产品使用的安全性。

然而，目前的指纹识别传感器仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：

目前，指纹识别传感器的使用对环境有特定的要求，影响用户的使用体验。例如，当指纹上有水的残留时将不能完成指纹识别的操作。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于目前指纹识别传感器的信噪比和灵敏度较低导致的。目前为了解决指纹识别传感器信噪比较低的问题，现有方案采取降低指纹识别传感器按电流的方式，具体的，对控制指纹识别传感器的薄膜晶体管进行改进，使用具有更低漏电流的氧化物薄膜晶体管，然而该方案对信噪比的提升较为有限。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种光敏传感器。该光敏传感器包括：第一类型半导体层；本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层的一侧；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧，其中，所述本征半导体层中具有能够产生表面等离激元效应的金属粒子，所述金属粒子分散分布在所述本征半导体层中。由此，该光敏传感器具有较高的信噪比和灵敏度，显著提升用户的使用体验。

根据本发明的实施例，所述金属粒子包括金、银、铜、铂以及铝的至少之一。由此，上述金属粒子可以产生表面等离激元效应，从而可以增强光敏传感器的光线吸收率，提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述本征半导体层包括层叠设置的第一部和第二部，所述第一部靠近光入射所述光敏传感器的一侧，位于所述第一部中的金属粒子的排布密度大于位于所述第二部中的金属粒子的排布密度。由此，在靠近光入射光敏传感器的一侧设置较多的金属粒子，可以有更多的金属粒子发生表面等离激元效应，进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述第一部的厚度为1000-3000埃米。本征半导体层中非晶硅在上述厚度范围内对光线具有较强的吸收能力，将第一部的厚度设置在上述范围内，也即是说，在光线较多的区域设置排布密度较大的金属粒子，可以有更多的光线使金属粒子发生表面等离激元效应，进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述第一部中每间隔200-600埃米的厚度处设置有一层所述金属粒子，所述第二部中每间隔1000-2000埃米的厚度处设置有一层所述金属粒子。由此，可以进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。

根据本发明的实施例，所述第二类型半导体层位于光入射所述光敏传感器的一侧，所述第二类型半导体层由透明半导体材料构成，所述第二类型半导体层和所述本征半导体层的界面处设置有所述金属粒子。由此，第二类型半导体层与本征半导体层的界面处具有最强的表面等离激元效应，可以进一步增强光敏传感器的光线吸收率，进一步提高光敏传感器的信噪比和灵敏度。