[发明专利]保持晶圆清洁的传送系统及方法有效
申请号: | 201910441187.1 | 申请日: | 2019-05-24 |
公开(公告)号: | CN110534467B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 王翠薇;蔡永豊;彭垂亚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 谢强;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 清洁 传送 系统 方法 | ||
1.一种保持晶圆清洁的传送系统,包括:
一清洁腔室,配置以清洁一晶圆;
一第一机械手臂,配置以将该晶圆传送进该清洁腔室,其中该第一机械手臂包括一第一罩盖,当该晶圆在该第一机械手臂上传送时该第一罩盖大致上覆盖该晶圆;
一第二机械手臂,配置以将该晶圆传送出该清洁腔室,其中该第二机械手臂包括一第二罩盖,当该晶圆在该第二机械手臂上传送时该第二罩盖大致上覆盖该晶圆,其中,该第二机械手臂与该第一机械手臂不同;
其中该第一罩盖包括一第一滴槽缘,该第一滴槽缘从该第一罩盖的一边缘部分垂直地向下延伸,使得该第一滴槽缘在一垂直方向比该第一罩盖的其他部分厚,其中该第一滴槽缘固定并且一体成形于该第一罩盖;
其中该第二罩盖包括一第二滴槽缘,该第二滴槽缘从该第二罩盖的一边缘部分垂直地向下延伸,使得该第二滴槽缘在该垂直方向比该第二罩盖的其他部分厚,其中该第二滴槽缘固定并且一体成形于该第二罩盖。
2.如权利要求1所述的保持晶圆清洁的传送系统,其中该第一罩盖包括一斜坡,配置以将来自该第一罩盖的液体沿着该斜坡排出。
3.如权利要求1所述的保持晶圆清洁的传送系统,其中该第一罩盖包括一剖面积,该剖面积大于该晶圆。
4.如权利要求1所述的保持晶圆清洁的传送系统,其中该第一滴槽缘与该第二滴槽缘是配置以引导滴下的液体离开该晶圆。
5.如权利要求1所述的保持晶圆清洁的传送系统,其中该清洁腔室包括一喷嘴盘,当该晶圆被固定于该清洁腔室中时,该喷嘴盘设置于该晶圆的上方,其中该喷嘴盘沿着配置以面向该晶圆的一表面涂布有一疏水层。
6.如权利要求1所述的保持晶圆清洁的传送系统,其中该清洁腔室是配置以:
在该清洁腔室中固定该晶圆;
当该晶圆固定在该清洁腔室中时,旋转该晶圆;以及
当该晶圆旋转时施加一液体至该晶圆上。
7.如权利要求6所述的保持晶圆清洁的传送系统,其中该液体包括下列至少其中一种:
一食人鱼溶液,由浓硫酸(H2SO4)与过氧化氢(H2O2)混合;
一氢氧化氨与过氧化氢的混和液(APM),包括氢氧化铵(NH4OH)以及水(H2O);
一盐酸与过氧化氢的混和液(HPM),包括盐酸(HCL)以及过氧化氢(H2O2);
氢氟酸(HF);
一ST-250清洁溶液;
臭氧(O3)以及水(H2O);
磷酸(H3PO4);
氢氧化四甲铵(TMAH);
二氧化碳以及水(H2O);
水(H2O);
异丙醇(IPA);
柠檬酸(C6H8O7);
硝酸(HNO3);
醋酸(C3COOH);
一磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)以及氢氟酸(HF)的混合液;以及
一硝酸(HNO3)、醋酸(C3COOH)以及磷酸(H3PO4)的混合液。
8.如权利要求1所述的保持晶圆清洁的传送系统,其中该清洁腔室包括一开口,该晶圆经由该开口而在该清洁腔室的一内部以及该清洁腔室的一外部之间传递,其中该开口涂布有一疏水层。
9.如权利要求8所述的保持晶圆清洁的传送系统,其中该开口是配置以一门可移动地封闭,且面向该清洁腔室的该内部的该门的一表面涂布有该疏水层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造