[发明专利]一种测量真空度的装置与方法

权利要求书

1.一种测量真空度的装置，其特征在于，包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；

所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；

所述电极连接所述半导体薄膜材料；

所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。

2.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极包括正极与负极；所述正极与所述负极均与所述半导体薄膜材料粘结。

3.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极采用弹性压针、锡焊、银浆焊接、超声波压焊中的至少一种方式与所述导线连接。

4.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述电极包括以下至少一种：铝，金，铜，银，铟。

5.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述衬底为绝缘材料，所述衬底包括以下至少一种：玻璃，陶瓷。

6.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述半导体薄膜材料通过等离子体增强化学气相法、磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法、旋涂法中的至少一种方式沉积在所述衬底上。

7.根据权利要求1所述的测量真空度的装置，其特征在于，所述半导体薄膜材料包括：

掺杂氢的非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗中的至少一种；或者，

铜铟镓硒、碲化镉本征半导体薄膜材料中的至少一种；或者，

掺杂硼、磷、砷、氢、碳的n型或p型非晶硅、微晶硅、非晶硅锗、微晶硅锗半导体薄膜材料中的至少一种；或者，

掺杂铝、锑或氟的氧化铟锡、氧化锡、氧化锌透明导电氧化物薄膜材料中的至少一种。

8.一种测量真空度的方法，其特征在于，包括：

在4～882Pa真空度范围内以及暗室条件下，随机取点获得用于测量真空度的半导体薄膜材料的电阻值；

获得所述不同电阻值所对应的真空度数值；

获得所述电阻值与所述真空度数值的准线性关系图；

将所述准线性关系图延长，得到10^-5～10⁵Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图；

根据所述10^-5～10⁵Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图，以及半导体薄膜材料的电阻值获得真空度。

9.根据权利要求8所述的测量真空度的方法，其特征在于，还包括：判断10^-5～10⁵Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值是否符合准线性关系；

所述判断包括：

通过所述10^-5～10⁵Pa真空度范围内的电阻值与真空度数值的准线性关系图，在882～10⁵Pa以及10^-5～4Pa的真空度范围内，随机选取不同的电阻值，获得所述选取的电阻值对应的第一真空度数值；

在实际中测量所述选取的电阻值对应的第二真空度数值；

比较所述第二真空度数值与所述第一真空度数值，若所述第一真空度数值在所述第二真空度数值的阈值范围内，则在10^-5～10⁵Pa真空度范围内，所述测量真空度的装置的半导体薄膜材料的电阻值与所述测量真空度的装置所处的真空度符合准线性关系。