[发明专利]一种测量真空度的装置与方法

说明书

本申请公开了一种测量真空度的装置与一种测量真空度的方法，所述装置包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；所述电极连接所述半导体薄膜材料；所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。本申请的装置通过电源提供的电压与电流计测量得到的电流可以获得半导体薄膜材料的电阻，本申请的测量真空度的装置中的半导体薄膜材料的电阻与该装置所处的真空度呈现准线性关系，从而可以通过测量半导体薄膜材料的电阻而测量较大范围的真空度，以解决现有技术中的同一种测量装置或同一种测量方法无法同时测量高真空度与低真空度的缺陷。

技术领域

本申请涉及真空度检测领域，具体涉及一种测量真空度的装置，同时涉及一种测量真空度的方法。

背景技术

真空度是指处于真空状态下的气体稀薄程度，真空度大体分为超高真空(<1×10^-5Pa)、高真空(1×10^-5～1×10^-1Pa)以及低真空(1×10^-1～1×10⁵Pa)范围。超高真空主要用于：表面科学、正负电子对撞机、氘和氚的核聚变等。高真空主要用于：半导体工业；原子能工业；金属材料工业；电子电器工业；汽车工业；医用领域以及分子原子层蒸镀等。低真空主要用于：一般的减压干燥与蒸馏；食品工业中的真空冷冻干烧、真空浓缩、脱气、真空包装；为高真空提供前级真空等。不同真空度的应用领域与作用不同，并且不同的真空度是以上述数值范围划分的，在某些应用中，如半导体材料的制备领域，真空度高代表空间内的杂质气体少，制备出来的半导体材料的杂质含量就少，通过控制真空度从而实现半导体材料的可控掺杂，一般而言，杂质少半导体材料的性能就好。因此，检测真空度数值的方法也变得越来越重要。

现有的测量真空度方法，一般分为低真空度和高真空度测量，不同的真空度需要采用不同的真空规管来测量。受测量方法的限制，一般的低真空规管可以测量的真空度的气压范围大约为：1×10^-1～2×10²Pa。气压大于2×10²Pa或低于1×10^-1Pa，低真空规管都无法测量。同样地，检测高真空度的高真空规管无法测量低真空度。以检测高真空度的热阴极电离真空规管为例，真空度大于1×10^-1Pa时该装置无法测量，主要是由于真空度低时气压较高，大气中的氧气含量较高，此时若开启热阴极电离真空规管，容易烧毁热阴极电离真空规管。因此，同一种测量装置及方法无法同时测量高真空度与低真空度。

发明内容

本申请提供一种测量真空度的装置，以解决现有技术中的同一种测量装置无法同时测量高真空度与低真空度的问题。本申请同时提供一种测量真空度的方法，以解决现有技术中的同一种测量方法无法同时测量高真空度与低真空度的问题。

本申请提供一种测量真空度的装置，包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；

所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；

所述电极连接所述半导体薄膜材料；

所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。

可选的，所述电极包括正极与负极；所述正极与所述负极均与所述半导体薄膜材料粘结。

可选的，所述电极采用弹性压针、锡焊、银浆焊接、超声波压焊中的至少一种方式与所述导线连接。

可选的，所述电极包括以下至少一种：铝，金，铜，银，铟。

可选的，所述衬底为绝缘材料，所述衬底包括以下至少一种：玻璃，陶瓷。

可选的，所述半导体薄膜材料通过等离子体增强化学气相法、磁控溅射法、真空热蒸发法、电子束蒸发法、旋涂法中的至少一种方式沉积在所述衬底上。