[发明专利]LED外延结构及其制作方法

权利要求书

1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：

N型半导体层(200)，设置于衬底(100)的一侧；

多量子阱层(300)，设置于所述N型半导体层(200)背离所述衬底(100)的一侧；

多层结构层(400)，设置于所述多量子阱层(300)背离所述N型半导体层(200)的表面，所述多层结构层(400)包括多个电子阻挡层(410)和多个P型半导体层(420)，所述电子阻挡层(410)与所述P型半导体层(420)交替层叠设置。

2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层(410)包括掺Mg的P型铝铟镓氮层，其中Mg的浓度为1×10¹⁶atoms/cm³-1×10²³atoms/cm³。

3.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层(410)的厚度范围为0.35nm-50nm。

4.如权利要求3所述的LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层(410)的厚度为2nm。

5.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述P型半导体层(420)包括掺Mg的P型氮化镓层，其中Mg的浓度为1×10¹⁶atoms/cm³-1×10²³atoms/cm³。

6.如权利要求5所述的LED外延结构，其特征在于，所述P型半导体层(420)的厚度为0.35nm-50nm。

7.如权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，所述P型半导体层(420)的厚度为4nm。

8.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层(410)与所述P型半导体层(420)的交替层叠次数为2-15。

9.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，还包括：

成核层(110)，设置于所述衬底(100)的一侧，且所述N型半导体层(200)设置于所述成核层(110)背离所述衬底(100)的一侧。

10.如权利要求9所述的LED外延结构，其特征在于，还包括：

缓冲层(120)，设置于所述成核层(110)背离所述衬底(100)的表面，且所述N型半导体层(200)设置于所述缓冲层(120)背离所述成核层(110)的表面。

11.如权利要求10所述的LED外延结构，其特征在于，还包括：

接触层(500)，设置于所述多层结构层(400)背离所述多量子阱层(300)的表面。

12.一种LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底(100)的一侧形成N型半导体层(200)；

在所述N型半导体层(200)背离所述衬底(100)的一侧形成多量子阱层(300)；

在所述多量子阱层(300)背离所述N型半导体层(200)的表面形成多层结构层(400)，所述多层结构层(400)包括多个电子阻挡层(410)和多个P型半导体层(420)，所述电子阻挡层(410)与所述P型半导体层(420)交替层叠设置。