[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成层叠结构，该层叠结构包括在垂直方向上交替地层叠的多个第一材料层和多个第二材料层；

形成穿过所述层叠结构的多个沟道结构；

形成穿过所述多个第一材料层中的至少一个以及所述多个第二材料层中的至少一个的隔离绝缘层；

形成穿过所述层叠结构的多个孔和狭缝，其中，所述狭缝与所述隔离绝缘层间隔开且所述沟道结构插置在所述隔离绝缘层和所述狭缝之间，并且其中，所述多个孔被布置在所述狭缝和所述隔离绝缘层之间；以及

通过经由所述孔和所述狭缝用材料图案替换所述第二材料层来形成所述材料图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，多个所述孔包括多个第一孔和多个第二孔，多个所述第一孔在与所述垂直方向交叉的第一水平方向上彼此相邻布置，多个所述第二孔在所述第一水平方向上彼此相邻布置，并且

其中，所述沟道结构布置在所述第一孔与所述第二孔之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，多个所述第一孔和多个所述第二孔按照锯齿形图案布置。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述狭缝在与所述垂直方向交叉的第二水平方向上延伸，并且

其中，所述材料图案围绕所述沟道结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二水平方向与所述第一水平方向交叉。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述狭缝在多个所述第一孔之间以及多个所述第二孔之间延伸。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述隔离绝缘层在所述层叠结构中在所述第二水平方向上延伸。

8.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括在各个所述孔中形成垂直结构，

其中，所述垂直结构包括：

侧壁绝缘层，该侧壁绝缘层覆盖各个所述孔的侧壁；以及

导电材料，该导电材料形成在通过所述侧壁绝缘层敞开的各个所述孔中。

9.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括在各个所述孔中形成垂直结构，

其中，所述垂直结构包括完全填充各个所述孔的绝缘材料。

10.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括在各个所述孔中形成垂直结构，

其中，所述垂直结构包括在彼此相邻的多个所述第一材料层之间延伸的突出部分。

11.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

形成层叠结构，该层叠结构包括在垂直方向上交替地层叠的多个第一材料层和多个第二材料层；

形成穿过所述层叠结构的多个沟道结构；

形成穿过所述多个第一材料层中的至少一个以及所述多个第二材料层中的至少一个的隔离绝缘层，其中，多个所述隔离绝缘层在与所述垂直方向交叉的第一水平方向上彼此间隔开并且在与所述垂直方向交叉的第二水平方向上延伸；

形成穿过所述层叠结构的狭缝、第一孔和第二孔；以及

通过经由所述狭缝、所述第一孔和所述第二孔用材料图案替换所述第二材料层来形成所述材料图案，

其中，多个所述隔离绝缘层中的至少一个布置在沿所述第一水平方向彼此相邻的多个所述狭缝之间，

其中，多个所述第一孔在所述第一水平方向上彼此相邻布置并且在所述隔离绝缘层之间彼此间隔开，并且

其中，所述第二孔在所述第二水平方向上与所述第一孔间隔开。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述沟道结构包括：

多个第一沟道结构，多个所述第一沟道结构与各个所述隔离绝缘层邻接并在所述第二水平方向上彼此相邻布置；以及

多个第二沟道结构，多个所述第二沟道结构与各个所述狭缝邻接并在所述第二水平方向上彼此相邻布置。