[发明专利]一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站

权利要求书

1.一种电池制备方法，电池为多层结构，所述电池包括单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及设置在所述透明导电层上的栅电极，其特征在于：在所述单晶硅基底、所述本征非晶硅层、所述p型非晶层、所述n型非晶硅层、所述透明导电层以及所述栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层，所述额外的薄膜层包括在所述本征非晶硅层制作完成后在所述本征非晶硅层上沉积的薄膜层，所述本征非晶硅层分层逐层制作，所述额外的薄膜层还包括在所述本征非晶硅层逐层制作过程中沉积的薄膜层，在所述本征非晶硅层逐层制作过程中沉积的薄膜层嵌设于所述本征非晶硅层的内部，在所述本征非晶硅层制作完成后在所述本征非晶硅层上沉积的薄膜层和在所述本征非晶硅层逐层制作过程中沉积于所述本征非晶硅层内部的薄膜层均由介电材料制成，所述介电材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或氧化钛。

2.根据权利要求1所述的电池制备方法，其特征在于：所述额外的薄膜层还包括在所述单晶硅基底制作完成后在所述单晶硅基底的正面和/或背面沉积的薄膜层。

3.根据权利要求2中任一项所述的电池制备方法，其特征在于：在所述单晶硅基底制作完成后在所述单晶硅基底的正面和/或背面沉积的薄膜层由介电材料制成。

4.根据权利要求3所述的电池制备方法，其特征在于：在所述单晶硅基底制作完成后在所述单晶硅基底的正面和/或背面沉积的薄膜层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或氧化钛。

5.根据权利要求1所述的电池制备方法，其特征在于：所述额外的薄膜层还包括在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层制作完成后在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层上沉积的薄膜层。

6.根据权利要求5所述的电池制备方法，其特征在于：在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层制作完成后在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层上沉积的薄膜层由介电材料制成。

7.根据权利要求6所述的电池制备方法，其特征在于：在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层制作完成后在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层上沉积的薄膜层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或氧化钛。

8.根据权利要求5所述的电池制备方法，其特征在于：在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层制作完成后在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层上沉积的薄膜层由导电材料制成。

9.根据权利要求8所述的电池制备方法，其特征在于：在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层制作完成后在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层上沉积的薄膜层的材料为氧化锌系列或氧化铟系列。

10.根据权利要求5所述的电池制备方法，其特征在于：在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层制作完成后在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层上沉积的薄膜层同时包括由导电材料制成的第一薄膜层和由介电材料制成的第二薄膜层。

11.根据权利要求10所述的电池制备方法，其特征在于：所述第一薄膜层的材料为氧化锌系列或氧化铟系列，所述第二薄膜层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或氧化钛。

12.根据权利要求1所述的电池制备方法，其特征在于：所述额外的薄膜层还包括在所述透明导电层制作完成后在所述透明导电层上沉积的薄膜层，在所述透明导电层上沉积的薄膜层由导电材料制成。

13.根据权利要求12所述的电池制备方法，其特征在于：在所述透明导电层上沉积的薄膜层的材料为氧化锌系列或氧化铟系列。