[发明专利]一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站

说明书

本发明公开了一种电池制备方法、电池、电池组组件及太阳能供电站，电池为多层结构，电池包括单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及设置在透明导电层上的栅电极，在单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层。该电池制备方法是在电池制备过程中，通过在形成异质结电池的单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层，通过沉积的薄膜层可对异质结电池的该层结构进行保护，并改善异质结电池的钝化效果、降低接触电阻，从而提升电池的光电转化效率。

技术领域

本发明涉及电池制造技术领域，具体涉及一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站。

背景技术

异质结电池结构一般为以n型单晶硅片（c-Si）为衬底，在经过清洗制绒的n 型单晶硅片（c-Si）正面依次沉积厚度为5~10nm 的本征非晶硅薄膜（i-a-Si:H）、p型非晶薄膜（p-a-Si:H），从而形成p-n异质结；在n 型单晶硅片（c-Si）背面依次沉积厚度为5~10nm的本征非晶硅薄膜（i-a-Si:H）、n型非晶硅薄膜（n-a-Si:H）形成背表面场；在掺杂a-Si:H薄膜的两侧再沉积透明导电氧化物薄膜（TCO）；最后通过丝网印刷技术在两侧的TCO层上形成栅电极。现有技术中，该电池钝化效果不好，表面复合速率高且接触电阻带来的损失大，从而影响电池的光电转化效率。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中的问题，提供一种改进的电池制备方法。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种电池制备方法，电池为多层结构，所述电池包括单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及设置在所述透明导电层上的栅电极，在所述单晶硅基底、所述本征非晶硅层、所述p型非晶层、所述n型非晶硅层、所述透明导电层以及所述栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层。

优选地，所述单晶硅基底制作完成后在所述单晶硅基底的正面和/或背面沉积所述薄膜层。

优选地，所述本征非晶硅层制作完成后在所述本征非晶硅层上沉积所述薄膜层。

优选地，所述本征非晶硅层分层逐层制作，所述本征非晶硅层逐层制作过程中沉积所述薄膜层，并通过所述薄膜层替换部分或全部所述本征非晶硅层。

进一步地，所述薄膜层位于所述本征非晶硅层的外部。

进一步地，所述薄膜层嵌设于所述本征非晶硅层的内部。

进一步地，所述薄膜层由介电材料制成。

更进一步地，所述介电材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅或氧化钛。

优选地，所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层制作完成后在所述p型非晶层和/或所述n型非晶硅层上沉积所述薄膜层。

进一步地，所述薄膜层由介电材料制成。

更进一步地，所述介电材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅或氧化钛。

进一步地，所述薄膜层由导电材料制成。

更进一步地，所述导电材料为氧化锌系列或氧化铟系列。

进一步地，所述薄膜层同时包括由导电材料制成的第一薄膜层和由介电材料制成的第二薄膜层。

更进一步地，所述介电材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅或氧化钛，所述导电材料为氧化锌系列或氧化铟系列。

优选地，所述透明导电层制作完成后在在所述透明导电层上沉积所述薄膜层。