[发明专利]形成三维存储器的方法以及三维存储器

权利要求书

1.一种形成三维存储器的方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、位于所述衬底上的堆叠的第一堆栈以及穿过所述第一堆栈的多个第一沟道孔；

在所述第一堆栈上形成第二堆栈；

形成穿过所述第二堆栈的多个第二沟道孔，每一第二沟道孔的底部与一个第一沟道孔的顶部连通；以及

刻蚀所述多个第二沟道孔的底部侧壁和至少部分所述第一沟道孔的顶部侧壁，以扩大所述多个第二沟道孔在所述底部的孔径和至少部分所述第一沟道孔在所述顶部的孔径。

2.如权利要求2所述的方法，其特征在于，刻蚀至少部分所述第一沟道孔的至少部分顶部侧壁，使得所述至少部分顶部侧壁相对于第一沟道孔的底部侧壁径向向外凸出。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，至少部分所述第二沟道孔的中心线相对于对应第一沟道孔的中心线在所述衬底的延伸方向上存在偏移。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当某一第二沟道孔底部的中心线相对于对应第一沟道孔的中心线在所述衬底的延伸方向上存在偏移时，刻蚀所述多个第一沟道孔的部分顶部侧壁，使得所述对应第一沟道孔顶部的中心线与所述对应第一沟道孔的中心线不重合，且比所述对应第一沟道孔的中心线更靠近所述某一第二沟道孔底部的中心线。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述多个第二沟道孔的步骤中，每一第二沟道孔在所述底部的孔径小于对应第一沟道孔在所述顶部的孔径。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括填充所述多个第一沟道孔的牺牲层，形成穿过所述第二堆栈的多个第二沟道孔时，去除所述多个第一沟道孔顶部的牺牲层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用各向同性刻蚀方法刻蚀所述多个第二沟道孔的底部侧壁和至少部分所述第一沟道孔的顶部侧壁。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀方法包括湿法刻蚀和气体刻蚀。

9.一种三维存储器，包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆叠的第一堆栈和第二堆栈，所述第一堆栈和第二堆栈分别包括间隔的栅极层；

位于所述第一堆栈中的多个第一沟道孔；

位于所述第二堆栈中的多个第二沟道孔，每一第二沟道孔的底部与一个第一沟道孔的顶部连通，其中至少部分所述第一沟道孔的至少部分顶部侧壁相对于第一沟道孔的底部侧壁径向向外凸出。

10.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，至少部分所述第二沟道孔的中心线相对于对应第一沟道孔的中心线在所述衬底的延伸方向上存在偏移。

11.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，当某一第二沟道孔底部的中心线相对于对应第一沟道孔的中心线在所述衬底的延伸方向上存在偏移时，所述特定第一沟道孔的部分顶部侧壁相对于底部侧壁径向向外凸出，使得所述对应第一沟道孔顶部的中心线与所述对应第一沟道孔的中心线不重合，且比所述对应第一沟道孔的中心线更靠近所述某一第二沟道孔底部的中心线。

12.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，每一第二沟道孔在所述底部的孔径小于对应第一沟道孔在所述顶部的孔径。

13.根据权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，

所述多个第二沟道孔的底部横截面是圆形；

并且当某一第二沟道孔底部的中心线相对于对应第一沟道孔的中心线在所述衬底的延伸方向上存在偏移时，所述对应第一沟道孔的顶部横截面是圆形。