[发明专利]发光二极管装置在审
| 申请号： | 201910445307.5 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110571324A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李东国;李大荣;金文燮;安成真;李承桓;任桐均;张牛锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/44;H01L33/52 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管层 波长转换层 折射率 光透射层 发光二极管装置 护套层 侧壁接触 发光结构 侧壁 基层 覆盖 | ||
1.一种发光二极管装置，包括：
波长转换层，其具有第一折射率；
发光二极管层，其包括基层和发光结构，所述基层设置在所述波长转换层上，所述发光结构设置在所述基层上；
光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁并与所述发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及
护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并且具有小于所述第二折射率的第三折射率。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一折射率大于所述第二折射率。
3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其中，所述基层具有第四折射率，所述第四折射率大于所述第一折射率。
4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁的至少一部分与所述护套层接触。
5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，还包括：
第一凸块和第二凸块，所述第一凸块和所述第二凸块设置在所述发光结构的第一表面上并与所述发光结构电连接；
N电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并与所述第一凸块电连接；以及
P电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并与所述第二凸块电连接。
6.根据权利要求5所述的发光二极管装置，其中，所述护套层围绕所述第一凸块的侧壁的至少一部分和所述第二凸块的侧壁的至少一部分。
7.根据权利要求6所述的发光二极管装置，其中，所述护套层完全围绕所述第一凸块的侧壁和所述第二凸块的侧壁。
8.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一折射率与所述第二折射率相同。
9.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁完全被所述光透射层围绕。
10.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的第一上表面和所述护套层的第二上表面彼此共面。
11.一种发光二极管装置，包括：
波长转换层，其具有第一折射率；
发光二极管层，其设置在所述波长转换层上；
光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁，并且具有小于所述第一折射率的第二折射率；
护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并且具有小于所述第二折射率的第三折射率；以及
凸块，其设置在所述发光二极管层上并与所述发光二极管层电连接。
12.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中，所述光透射层与所述发光二极管层的侧壁接触。
13.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中，所述护套层不与所述凸块接触。
14.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中，所述护套层的至少一部分设置在所述凸块和所述光透射层之间。
15.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁完全被所述光透射层围绕。
16.一种发光二极管装置，包括：
波长转换层，其具有第一折射率；
发光二极管层，其包括基层和发光结构，所述基层设置在所述波长转换层上，所述发光结构设置在所述基层上；
光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁并与所述发光二极管层的侧壁接触，并且具有小于所述第一折射率的第二折射率；以及
护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并具有小于所述第一折射率的第三折射率。
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