[发明专利]发光二极管装置

说明书

提供一种发光二极管装置。该发光二极管装置包括波长转换层、发光二极管层、光透射层和护套层。波长转换层具有第一折射率。发光二极管层包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构。光透射层设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并具有第二折射率。护套层设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0064846的优先权，其公开通过引用整体并入本文。

技术领域

与本公开一致的装置、器件和制造用品涉及发光二极管装置。

背景技术

半导体发光元件在施加电流时通过使用电子和空穴的复合原理而发光，并且由于其诸如低功耗、高亮度、小型化等各种优点而广泛用作光源。特别是，由于开发了基于氮化物的发光元件，半导体发光元件更广泛地应用于各种领域中，并且用作光源模块、家庭照明装置、汽车灯等。

由于半导体发光元件广泛用于各种领域，它们的应用正扩展到高电流/高输出领域。由于半导体发光元件如上所述地用于高电流/高输出领域，在相关技术领域中正在进行用于提高半导体发光元件封装的可靠性的研究。

发明内容

一方面，提供一种具有提高的光提取效率的发光二极管装置。

根据示例性实施例的一方面，提供一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；发光二极管层，其包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构；光透射层，其设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及护套层，其设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。

根据示例性实施例的另一方面，提供了一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；设置在波长转换层上的发光二极管层；光透射层，其设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁，并具有小于第一折射率的第二折射率；护套层，其设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并具有小于第二折射率的第三折射率；以及设置在发光二极管层上并与发光二极管层电连接的凸块。

根据示例性实施例的另一方面，提供了一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；发光二极管层，其包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构；光透射层，其设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并且具有小于第一折射率的第二折射率；以及护套层，其设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第一折射率的第三折射率。

要解决的方面不限于上面提到的那些方面，并且基于下面提供的描述，本领域技术人员可以清楚地理解以上未提及的其他方面。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，上述和其他方面对于本领域普通技术人员而言将变得更加明显，其中：

图1是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图；

图2是沿图1的A-A线截取的剖视图；

图3是用于说明图2的部分C的构造的视图；

图4是沿图1的B-B线截取的剖视图；

图5是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图；

图6是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图；

图7是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图；

图8是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图；