[发明专利]对半导体制造腔室中的易损件的剩余寿命的估计

权利要求书

1.一种系统，包括：

腔室，其配置为产生用来处理半导体衬底的等离子体；

所述腔室的易损件，所述易损件具有配置为在所述腔室中的处理期间暴露于所述等离子体的主体表面；以及被嵌入所述易损件的所述表面的触发特征，所述触发特征在所述易损件中至少部分形成为空隙，其中所述空隙为截锥形并配置为当所述触发特征的表面因暴露于等离子体一段时间而被腐蚀时变得可见且可见区域变大；

所述腔室的检视镜，其配置为当所述易损件在所述腔室内时检视所述易损件；和

控制器，其配置为与所述检视镜接合以监控所述触发特征以确定与所述检视镜可见的空隙的量相关的磨损程度，

所述磨损程度配置为指示所述易损件的剩余寿命。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述检视镜配置为通过捕捉所述触发特征的区域的图像、捕捉所述触发特征的所述区域的红外图像，捕捉靠近所述触发特征的所述区域的声波、捕捉靠近所述触发特征的所述区域的一个或多个超声波、捕捉靠近所述触发特征的所述区域的一个或多个射频波、或其两种或多种的组合来监控所述触发特征。

3.如权利要求1所述的系统，其中所述空隙的深度为所述易损件的宽度的大约一半。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述空隙的深度在所述易损件的纵向宽度的10% 到99%的范围内。

5.如权利要求1所述的系统，其中所述触发特征进一步包括盖元件，所述盖元件与所述易损件的表面共面，所述盖元件位于所述空隙的上方，其中所述盖元件是突出环，其配置为匹配所述易损件的相应凹痕。

6.一种用于监控布置在用于半导体制造的腔室中的易损件的磨损的方法，所述方法包括：

所述易损件具有配置为在所述腔室中的处理期间暴露于等离子体的主体表面；以及与所述表面成为一体的触发特征，所述触发特征具有空隙，所述空隙为截锥形并配置为当所述触发特征的表面因暴露于等离子体一段时间而被腐蚀时变得可见且可见区域变大，其中磨损的程度与因暴露于等离子体一段时间而变得可见的所述空隙的量相关；

将检视镜插入所述腔室；

使用所述检视镜获取来自所述触发特征的数据；和

基于捕获的所述数据，确定所述易损件的剩余寿命。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述触发特征进一步包括盖元件，所述盖元件与所述易损件的表面共面，所述盖元件位于所述空隙上方。

8.如权利要求6所述的方法，其中盖形成在易损件中并且被设置在所述空隙上方。

9.如权利要求6所述的方法，其中当由一个或多个处理器执行时，所述方法的操作由计算机程序执行。