[发明专利]对半导体制造腔室中的易损件的剩余寿命的估计

说明书

一种在用等离子体处理半导体衬底的腔室内使用的易损件，所述易损件包括主体和触发特征。所述主体具有配置为在腔室中的处理期间暴露于等离子体的表面，所述触发特征在主体中一体形成。所述触发特征包括空隙，所述空隙位于主体的表面之下，其中所述空隙配置为当所述表面因暴露于等离子体一段时间而被腐蚀时变得可见。所述空隙变得可见是主体的表面上的可识别的特征，显示了易损件的磨损程度，磨损程度与易损件的剩余处理时间的量有关。

本申请是申请号为201610060456.6，申请日为2016年1月28日，申请人为朗姆研究公司，发明创造名称为“对半导体制造腔室中的易损件的剩余寿命的估计”的发明专利申请的分案申请。

本发明要求2015年1月28日提交的、名称为“对半导体制造腔室中的易损件的剩余寿命的估计”的美国临时申请No.62/109,016的优先权。该临时申请通过引用的方式并入本发明。

技术领域

本发明实施方式涉及用于提高半导体处理均匀性的方法，更具体地，涉及用于产生关于半导体制造腔室中的易损件的剩余寿命的系统通知的方法、系统和计算机程序。

背景技术

长期以来等离子体被用来处理衬底(例如晶片或平板)以形成电子产品(如集成电路或平板显示器)。半导体晶片通常被置于蚀刻腔室内，具有光致抗蚀剂掩模层，以将蚀刻引导到下面的材料。蚀刻处理去除没有被光致抗蚀剂覆盖的下面的材料。

蚀刻处理也可从等离子体腔室内的零件的表面去除材料。随着时间的过去，在处理腔室内的零件可能被损坏或因为暴露于等离子体和蚀刻处理而改变。

在一个或多个零件有缺陷的腔室中，处理效率可大幅度降低，导致判断和解决问题的高昂成本。有时候，因为系统管理员没有意识到个别易损件应被替换，所以超出零件的预期寿命的零件仍被保留在腔室内。

本发明是在这个背景下产生的。

发明内容

方法、装置、系统和计算机程序被提出以用于预测半导体制造设备中的易损件的剩余寿命。应当理解的是，本发明可以多种方式实行，例如方法、设备、系统、装置或计算机可读介质上的计算机程序。以下将描述几个实施方式。

希望的是一种自动评估腔室内的易损件的寿命的系统，并判断零件何时应被替换，以高效地操作半导体处理系统。

在一个实施方式中，示出了一种用在腔室内的易损件，等离子体在腔室中被用来处理半导体衬底。所述易损件包括主体和触发特征。所述主体具有配置为在腔室中的处理期间暴露于等离子体的表面。所述触发特征在主体中一体形成并包括空隙(void)，所述空隙位于主体的表面之下。所述空隙配置为当所述表面因暴露于等离子体一段时间而被腐蚀时变得可见。所述空隙变得可见是主体的表面上的可识别的特征，显示了易损件的磨损程度，磨损程度与易损件的剩余处理时间的量有关。

在另一个实施方式中，示出了一种系统。所述系统包括腔室、易损件、检视镜(inspection scope)以及控制器。所述腔室配置为产生用来处理半导体衬底的等离子体。所述易损件配置为用在腔室内，所述易损件包括主体和触发特征。所述主体具有配置为在腔室中的处理期间暴露于等离子体的表面，且所述触发特征在主体中一体形成。所述触发特征包括空隙，所述空隙位于主体的表面之下，并且所述空隙配置为当所述表面因暴露于等离子体一段时间而被腐蚀时变得可见。进一步地，所述检视镜配置为用于当易损件在腔室内时视察所述易损件。所述控制器配置为基于通过检视镜得到的信息判断所述空隙是否可见，所述空隙变得可见是主体的表面上的可识别的特征，显示了易损件的磨损程度，磨损程度与易损件的剩余处理时间的量有关。