[发明专利]一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法

权利要求书

1.一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：具体步骤为：

步骤一、将待检测的硅抛光片进行清洗和干燥，清洗干燥后的硅抛光片还在包装前对硅抛光片表面颗粒数进行处理前检测；

步骤二、将步骤一得到的硅抛光片放入片盒中，放置硅抛光片的片盒还使用双层真空袋包装，所述双层真空袋包装包括聚乙烯袋和铝箔袋；

步骤三、将步骤二得到的双层真空包装片盒还放入高温高湿环境、低温冷冻环境和室温高湿环境中处理，所述双层真空包装片盒还在高温高湿环境、低温冷冻环境中交替处理2次，交替处理之后放入室温高湿环境处理；所述高温高湿环境是指温度为50℃，相对湿度为95%的密闭环境，高温高湿环境放置时间为8小时；所述低温冷冻环境是指温度为0℃的密闭环境，低温冷冻环境放置时间为8小时；所述室温高湿环境是温度为23℃，相对湿度为95%的密闭环境，室温高湿环境放置时间为24小时；

步骤四、将步骤三处理后的双层真空包装片盒在洁净环境下拆除外层的双层真空包装，将硅抛光片从片盒中取出，对取出的硅抛光片表面颗粒数进行处理后检测；

步骤五、对比处理前检测和处理后检测的两组硅抛光片表面颗粒数，由对比结果判断硅抛光片是否发生水雾缺陷。

2.根据权利要求1所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述片盒为聚丙烯片盒。

3.根据权利要求1所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述聚乙烯袋为内层包装袋，所述铝箔袋为外层包装袋，所述铝箔袋还套设于所述聚乙烯袋的外部。

4.根据权利要求1所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述处理前检测和所述处理后检测均使用表面颗粒扫描仪检测硅抛光片表面颗粒数。