[发明专利]一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法

说明书

本发明公开了一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，包括对硅抛光片进行清洗、干燥，对硅抛光片的表面颗粒进行检测，对硅抛光片进行片盒包装、及包装袋双层真空包装，交替多次在极端化环境中放置硅抛光片，对硅抛光片的表面颗粒进行复测，对前后两次表面颗粒数进行显著性统计分析。通过该方法中对硅抛光片存储环境进行多次温、湿度极端化处理，促使有水雾潜在风险的硅抛光片在短时间内发生水雾，本发明方法简单，成本低，从业技术人员利用本发明方法可以快速、准确判断被检测硅片是否在存储期间会发生水雾缺陷，对所生产的产品质量及时、有效地进行监控，对潜在的风险发出预警，进一步提高、保障了硅抛光片质量。

技术领域

本发明属于硅抛光片加工技术领域，具体涉及一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法。

背景技术

单晶硅抛光片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，硅片经过化学机械抛光后形成镜面的抛光片，接着要在超净环境进行清洗、表面检测，存放和发运时被封装在商用的聚丙烯密封包装片盒内，在包装盒外进行聚乙烯袋和铝箔袋的双层真空包装。正常情况下，经过封装好的硅片可以保质存储18个月以上。

随着超大规模集成电路的发展，对硅片表面的洁净度要求越来越苛刻，然而在硅片生产环境湿度、包装材质质量、包装袋封装等因素失控；以及存储、运输地域变换引起的环境温湿度大幅度变化时，致使硅抛光片表面吸附环境空气中的水汽，造成原本洁净的硅片在存储一段时间后，硅片表面会缓慢凝结微小的水珠，出现大量高密度分布的亚微米级颗粒，并随着时间的延长逐步加重，造成硅片颗粒超标、品质下降，不能达到正常的存储有效期。使用表面颗粒扫描仪测试发生水雾的硅片表面颗粒，会发现硅片表面聚集了大量的颗粒，在专用聚光灯下目视检测硅片表面呈现雾状，行业内称之为水雾。

水雾的诱发原因诸多，但它并不会出现在刚刚完成清洗的硅片上，它的形成是一个很缓慢的过程，根据诱发因素和严重程度的不同，潜伏期长达数周到数月以上。如果生产线不能及时监控发现找到原因及时解决，等问题发生时，生产线上已经产生大量不合格品，甚至有不合格品已经发往客户加工，会对生产、发货造成极大的损失，甚至引起产品召回和客户投诉的严重损失。

在生产线解决水雾的过程中，采取相关措施后也急需快速验证措施的有效性，然而由于硅片水雾实际出现时间的滞后性，往往造成解决问题的效率低下，使问题迟迟得不到有效解决，严重影响了生产的正常进行。因此，如何能够使有潜在问题的硅片快速暴露出水雾，进行日常监控和及时解决，提高产品质量，保证客户端加工的成品率，是技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，能够快速使硅抛光片水雾缺陷快速显现出来，保障了产品质量，减少了客户投诉和生产企业损失。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：具体步骤为：

步骤一、将待检测的硅抛光片进行清洗和干燥，清洗干燥后的硅抛光片还在包装前对硅抛光片表面颗粒数进行处理前检测；

步骤二、将步骤一得到的硅抛光片放入片盒中，放置硅抛光片的片盒还使用双层真空袋包装，所述双层真空包装袋包括聚乙烯袋和铝箔袋；

步骤三、将步骤二得到的双层真空包装片盒还放入高温高湿环境、低温冷冻环境和室温高湿环境中处理，所述双层真空包装片盒还在高温高湿环境、低温冷冻环境交替处理，交替处理之后放入室温高湿环境处理；

步骤四、将步骤三处理后的双层真空包装片盒在洁净环境下拆除外层的双层真空包装，将硅抛光片从片盒中取出，对取出的硅抛光片表面颗粒数进行处理后检测；

步骤五、对比处理前检测和处理后检测的两组硅抛光片表面颗粒数，由对比结果判断硅抛光片是否发生水雾缺陷。

进一步的，所述片盒为聚丙烯片盒。