[发明专利]光罩结构在审
申请号: | 201910448140.8 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN110308615A | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 张永晖;李鹏;吴绍静 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜层 遮光 透光区域 透明基板 相移掩膜 遮光区域 散射 光罩 交界面 包围 | ||
本发明提供了一种光罩结构,包括:一透明基板,包括透光区域以及被所述透光区域包围的至少一个遮光区域;一遮光掩膜层,其设置于所述透明基板并布满所述遮光区域;一相移掩膜层,其设置于所述透明基板上并与所述遮光掩膜层连接,所述相移掩膜层连接在所述遮光掩膜层的边缘上并位于所述透光区域,所述相移掩膜层用于使被其散射的光与被所述遮光掩膜层散射的光在交界面处得到相消。
技术领域
本发明涉及阵列基板制作领域,具体涉及一种光罩结构。
背景技术
在OLED面板制造的工艺流程中,需要在基板上制作数十层薄膜层,这些薄膜层之间的精确对位对于阵列基板的制作成功具有决定性的作用。为了实时地监控每一层膜层与它的对位层的对位精度,通常会设计层间对位确认操作是在曝光后、蚀刻前来对其进行实时监控。如果发现对位偏差超出了允许范围,则需要将光阻剔除掉,再重新进行对位光刻过程,直至对位精度在允许范围之内。例如在POLY层制作完成之后,其后的GE1,GE2,CNT和SD等膜层都需要和POLY层进行对位精度确认。由于光阻的taper角过小,导致用光感器件CCD抓取膜层边界时存在较大随机误差,不能准确反映膜层间的对位精度,这严重影响了批量生产时对于膜层对位精度的实时监控效果,对生产良率提高造成很大影响。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本发明提供一种光罩结构,可以提高产品良率。
本发明提供了一种光罩结构,包括:
一透明基板,包括透光区域以及被所述透光区域包围的至少一个遮光区域;
一遮光掩膜层,其设置于所述透明基板并布满所述遮光区域;
一相移掩膜层,其设置于所述透明基板上并与所述遮光掩膜层连接,所述相移掩膜层连接在所述遮光掩膜层的边缘上并位于所述透光区域,所述相移掩膜层用于使被其散射的光与被所述遮光掩膜层散射的光在交界面处得到相消。
在本发明所述的光罩结构中,所述至少一个遮光区域的数量为一个,所述遮光区域呈矩形状;所述相移掩膜层呈矩形框状且其绕所述遮光区域的外边缘设置,所述相移掩膜层的内边缘与所述遮光掩膜层的外边缘重合。
在本发明所述的光罩结构中,所述遮光区域呈矩形环状,所述相移掩膜层呈矩形框状且其绕所述遮光区域的外边缘设置,所述相移掩膜层的内边缘与所述遮光掩膜层的外边缘重合。
在本发明所述的光罩结构中,所述遮光区域呈矩形环状,所述相移掩膜层包括第一相移掩膜框以及第二相移掩膜框,所述第一相移掩膜框以及第二相移掩膜框均呈矩形框状;
所述遮光掩膜层包括第一遮光掩膜块、第二遮光掩膜块以及第三遮光掩膜块,所述第一遮光掩膜块、第二遮光掩膜块以及所述第三遮光掩膜块均呈矩形框状;所述第一相移掩膜框沿着所述第一遮光掩膜块的内边缘设置,所述第二遮光掩膜块沿着所述第一相移掩膜框的内边缘设置,所述第二相移掩膜框沿着所述第二遮光掩膜块的内边缘设置,所述第三遮光掩膜块沿着所述第二相移掩膜框的内边缘设置;所述第一遮光掩膜块的内边缘与所述第一相移掩膜框的外边缘连接,所述第一相移掩膜框的内边缘与所述第二遮光掩膜块的外边缘连接,所述第二遮光掩膜块的内边缘与所述第二相移掩膜框的外边缘连接,所述第二相移掩膜框的内边缘与所述第三遮光掩膜块的外边缘连接。
在本发明所述的光罩结构中,所述遮光区域呈矩形环状,所述相移掩膜层包括第一相移掩膜框以及第二相移掩膜框,所述第一相移掩膜框以及第二相移掩膜框均呈矩形框状;
所述遮光掩膜层包括第一遮光掩膜块、第二遮光掩膜块,所述第一遮光掩膜块、第二遮光掩膜块均呈矩形框状;所述第一相移掩膜框位于所述第一遮光掩膜块的内侧,所述第二遮光掩膜块位于所述第一相移掩膜框的内侧,所述第二相移掩膜框位于所述第二遮光掩膜块的内侧;
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