[发明专利]光刻方法

说明书

本发明公开一种光刻方法，用于将待处理图形进行无掩模版的光刻，所述方法包括如下步骤：S1：将所述待处理图形进行K次拆分，形成K幅子图形；S2：预设分割宽度M，分别将K幅所述子图形按照所述预设分割宽度M切割成n条子条带；S3：将K幅所述子图形中形成的n条宽度为M的所述子条带进行重组，形成n条新条带；S4：光刻所述新条带，其中，每完成一条新条带光刻，步进一条所述子条带的宽度M，进行另一待处理的新条带光刻。通过将待处理图形拆分分割形成的n条子条带进行重组，实现子条带分辨率的增强，从而达到光刻分辨率增强的效果。

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，特别是涉及一种光刻方法。

背景技术

随着大规模集成电路的快速发展，无掩膜激光直写光刻技术逐渐被广泛关注，主要应用于精密掩膜制造、微光学、柔性光电子材料、平板显示、生物传感等领域。市面上大部分无掩膜激光直写光刻机是基于空间光调制器作为图形发生器进行投影曝光，工艺灵活，且省去了高精度石英掩膜板的高昂费用，但是与半导体行业中的投影式光刻机相比，其光刻分辨率相差甚远。所以，提高无掩膜激光直写光刻机的光刻分辨率仍然是业界追求的重要指标之一。

传统光学光刻技术主要通过三种途径来提高分辨率：减小曝光光源波长λ、增大数值孔径NA、降低工艺因子k1。其目的就是通过减小曝光波长来增强光刻分辨率，但是，不同波长适用的光学系统和控制系统不同，一味缩小曝光波长会导致设备成本倍增。若单纯增大数值孔径，由焦深公式DOF=k2λ/NA^2可知，光刻系统的焦深会大大减小，不利于光刻系统的聚焦稳定性和图形品质的保障。同时，由于当图形特征尺寸接近曝光波长时，密集图形之间的光学临近效应对光刻品质的影响要大于稀疏图形，导致密集图形的有效分辨率要差于稀疏图形。

有鉴于此，专家们提出了多种分辨率增强的方法，如离轴照明、光学临近修正、相移掩膜、双重曝光等等。如双重曝光技术通过曝光-刻蚀-曝光-刻蚀或者曝光-曝光-刻蚀的方法来提高密集图形的光刻对比度。但此方法不仅工艺步骤繁琐，费用高昂，而且两层图形之间的套刻精度对光刻分辨率的影响是个不可忽略的不稳定因素。

前面的叙述在于提供一般的背景信息，并不一定构成现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种增强分辨率的光刻方法。

本发明提供一种光刻方法，用于将待处理图形进行无掩模版的光刻，所述方法包括如下步骤：

S1：将所述待处理图形进行K次拆分，形成K幅子图形；

S2：预设分割宽度M，分别将K幅所述子图形按照所述预设分割宽度M切割成n条子条带；

S3：将K幅所述子图形中形成的n条宽度为M的所述子条带进行重组，形成n+K-1条新条带；

S4：光刻所述新条带，其中，每完成一条新条带光刻，步进一条所述子条带的宽度M，进行另一待处理的新条带光刻。

在其中一实施例中，在步骤S1中，在对所述待处理图形进行拆分前，还包括在所述待处理图形上设置对位图标，以使拆分后的每一所述子图形均具有相同位置的对位图标。

在其中一实施例中，在步骤S1中，还包括预设拆分方式，所述预设拆分方式为规律的拆分或随机的拆分。

在其中一实施例中，在步骤S2中，包括预设切割方式，所述切割方式包括竖直或横向或斜向，切割后，所述子条带的长度为所述子图形的原始长度。

在其中一实施例中，在步骤S3中，重组过程包括：选取第K幅子图形的第y-(K-1)条的子条带，第K-1幅子图形的第y-(K-2)条子条带，第K-2幅子图形的第y-(K-3)条子条带，以此类推，完成第y条新条带所需子条带的选取，将所述第y条新条带所需子条带进行数据拼接获得所述第y条新条带，以此类推，获得数量为n+K-1的新条带，其中，y按照1到n+K-1依次取值，当选取的子条带的序列号小于1或者大于n时，选择空白条带拼接。