[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201910448743.8 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110176478A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郝鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管电路 有机发光二极管显示装置 电子传输层 辅助阴极 发光层 阳极层 衬底 基板 控制电路 像素表面 平坦度 阴极层 良率 填充 制作 覆盖 保证 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括衬底；
薄膜晶体管电路层设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管电路层具有控制电路；
在所述薄膜晶体管电路层上设有至少一个凹槽，所述凹槽的底部设有电子传输层，辅助阴极层填充于所述凹槽内；
阳极层设在所述薄膜晶体管电路层上；
发光层均匀设在所述阳极层上，所述电子传输层也设在所述发光层上；以及
阴极层覆盖在所述电子传输层与所述辅助阴极层上。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述辅助阴极层通过喷墨打印装置填充于所述凹槽内。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述辅助阴极层为纳米银浆材料。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述阳极层的材料选自氧化铟锡，氧化铟锌，金，铂，硅材料其中任一或其组合。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述电子传输层通过蒸镀的方式覆盖在所述发光层上与所述凹槽的底部。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述阴极层通过蒸镀的方式覆盖在所述电子传输层与所述辅助阴极层上。
7.一种有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板，所述基板包括衬底；
在所述衬底上制作薄膜晶体管电路层，所述薄膜晶体管电路层具有控制电路；
在所述薄膜晶体管电路层上制作至少一个凹槽，所述凹槽的底部覆盖电子传输层，并填充辅助阴极层于所述凹槽内；
在所述薄膜晶体管电路层上制作阳极层；
在所述阳极层上均匀制作发光层，在所述发光层上制作所述电子传输层；
在所述电子传输层与所述辅助阴极层上覆盖阴极层。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，所述辅助阴极层通过喷墨打印装置填充于所述凹槽内，所述辅助阴极层为纳米银浆材料。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，所述阳极层的材料选自氧化铟锡，氧化铟锌，金，铂，硅材料其中任一或其组合。
10.如权利要求7所述的有机发光二极管显示装置的制作方法，其特征在于，所述电子传输层通过蒸镀的方式覆盖在所述发光层上与所述凹槽的底部，所述阴极层通过蒸镀的方式覆盖在所述电子传输层与所述辅助阴极层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
