[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201910450593.4 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110085516B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 田志;李娟娟;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成氧化层和浮栅层；
刻蚀所述浮栅层、所述氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；
刻蚀所述浅沟槽隔离结构的边缘部分；
在剩余的所述浅沟槽隔离结构上形成ONO层，所述ONO层与所述浮栅层中间具有未刻蚀完的浅沟槽隔离结构；
在所述ONO层上形成控制栅层；
刻蚀电容区的浅沟槽隔离结构的边缘部分的方法包括：刻蚀电容区的浅沟槽隔离结构的边缘部分使得剩余的浅沟槽隔离结构的边缘部分与所述衬底表面齐平，剩余的所述浅沟槽隔离结构露出所述衬底的横截面尺寸是所述ONO层厚度的三倍至四倍。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述ONO层的厚度为150埃。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述ONO层包括：位于所述浅沟槽隔离结构上的氧化硅层、位于所述氧化硅层上的氮化硅层以及位于所述氮化硅层上的氧化硅层。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述浮栅层和所述控制栅层均为多晶硅。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述氧化层为氧化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910450593.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶片接合方法
- 下一篇：一种长宽非等尺寸的长方形多晶硅太阳能电池片加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
