[发明专利]半导体器件的形成方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括；在所述衬底上形成氧化层和浮栅层；刻蚀所述浮栅层、所述氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；刻蚀所述浅沟槽隔离结构的边缘部分；在剩余的所述浅沟槽隔离结构上形成ONO层；在所述ONO层上形成控制栅层。在本发明提供的半导体器件的形成方法中，形成的ONO层具有台阶，但是台阶的垂直部分与浮栅层中间具有一定厚度的浅沟槽隔离结构，因此台阶的垂直部分不具有电容值，因此也不会影响到实际的ONO层的电容值。这种形成方法中，提高了测得的实际ONO值准确度，从而提高了ONO厚度的测量的准确度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

现有技术中，半导体器件的形成方法，提供一衬底，衬底包括cell区和电容区，在衬底上形成氧化层、在氧化层上形成浮栅层，刻蚀浮栅层、氧化层和衬底形成浅沟槽隔离结构。刻蚀有源区和电容区的浅沟槽隔离结构，在上面形成ONO层，即依次沉积氧化硅层-氮化硅层-氧化硅层，再在ONO层上沉积控制栅层。从剖面图结构来看，由于浮栅层和刻蚀后的浅沟槽隔离结构表面有一定的距离，所以形成的ONO层有台阶差。现有技术中，测试ONO的厚度，是通过ONO的电容值来间接测试ONO的厚度的。测试ONO的电容值的方法为在ONO层下方的浮栅层上加引出信号，在ONO层的上一层的控制栅层上加引出信号，通过两个引出信号可以测得之间的电容值，此电容值就是ONO层的电容值，将电容值通过一个对应的关系转换成厚度值即可。但是现有技术存在的一个问题就是，ONO有一个转折，具有一定的台阶差，而这个台阶差会对电容值造成影响，从而影响到ONO的实际值。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的形成方法，可以使得测量的ONO层的厚度更加准确。

为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成氧化层和浮栅层；

刻蚀所述浮栅层、所述氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；

在所述浅沟槽隔离结构上形成ONO层；

在所述ONO层上形成控制栅层。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，所述ONO层包括：位于所述浅沟槽隔离结构上的氧化硅层、位于所述氧化硅层上的氮化硅层以及位于所述氮化硅层上的氧化硅层。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，所述氧化层为氧化硅。

本发明还提供了一种半导体器件的形成方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括；

在所述衬底上形成氧化层和浮栅层；

刻蚀所述浮栅层、所述氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；

刻蚀所述浅沟槽隔离结构的边缘部分；

在剩余的所述浅沟槽隔离结构上形成ONO层；

在所述ONO层上形成控制栅层。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，所述ONO层的厚度为150埃。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，刻蚀电容区的浅沟槽隔离结构的边缘部分的方法包括：刻蚀电容区的浅沟槽隔离结构的边缘部分使得剩余的浅沟槽隔离结构的边缘部分与所述衬底表面齐平，剩余的所述浅沟槽隔离结构露出所述衬底的横截面尺寸是所述ONO层厚度的三倍至四倍。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，所述ONO层包括：位于所述浅沟槽隔离结构上的氧化硅层、位于所述氧化硅层上的氮化硅层以及位于所述氮化硅层上的氧化硅层。