[发明专利]微发光二极管显示基板、显示面板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201910452788.2 | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN112018143A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 杨婷慧 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 李旭亮 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本申请涉及一种微发光二极管显示基板,包括衬底层、多个LED器件和多个连接电极;多个LED器件彼此绝缘间隔地设于所述衬底层上;所述衬底层被构造为具有多个贯穿所述衬底层以暴露所述LED器件部分表面的接触孔。如此,在完成LED器件外延结构的生长后,不需要衬底层剥离,而直接将该微发光二极管显示基板与驱动基板对位键合,即可实现LED器件和驱动基板的连接。一方面相比现有技术中的在完成LED器件制作之后在转移之前需要将衬底层剥离的工艺,降低了工艺难度,提高了产品的生产效率。另一方面,避免在衬底剥离过程中造成LED器件遭到破坏,提高了产品的良率。还提供一种显示面板及其制作方法、显示装置。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种微发光二极管显示基板、显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
Micro LED(Micro Light Emitting Diode,微发光二极管),是将LED器件微缩化和矩阵化的技术。具体是在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED器件阵列,其中每一LED器件可定址、单独驱动点亮,能够将相邻两个LED器件的像素点距离从毫米降低至微米级,提高显示效果。
目前,Micro LED显示面板的制作方法通常是分别制作Micro LED和控制电路基板,然后通过转印的方式将Micro LED转移至控制电路基板上,再进行电连接。在将MicroLED转移至控制电路基板上之前,需要将Micro LED的衬底剥离,但现有技术中衬底剥离工艺较为复杂,使Micro LED显示面板的转移和制作工艺的难度增大。
发明内容
基于此,有必要针对传统的Micro LED衬底剥离工艺复杂的问题,提供一种改善上述问题的微发光二极管显示基板、显示面板及其制作方法、显示装置。
根据本申请的一个方面,提供一种微发光二极管显示基板,包括:
衬底层;
多个LED器件,所述多个LED器件彼此绝缘间隔地设于所述衬底层上;以及
多个连接电极,所述衬底层被构造为具有多个贯穿所述衬底层以暴露所述LED器件部分表面的接触孔,每一所述连接电极用于借助于对应的所述接触孔连接所述LED器件和驱动基板。
上述微发光二极管显示基板,在衬底层上形成接触孔,并设有用于连接LED器件与驱动基板的连接电极,从而在完成LED器件外延结构的生长后,不需要衬底层剥离,而直接将该微发光二极管显示基板与驱动基板对位键合,即可实现LED器件和驱动基板的连接。一方面相比现有技术中的在完成LED器件制作之后在转移之前需要将衬底层剥离的工艺,降低了工艺难度,提高了产品的生产效率。另一方面,避免在衬底剥离过程中造成LED器件遭到破坏,提高了产品的良率。
在一实施例中,所述微发光二极管显示基板还包括绝缘层;
所述绝缘层覆盖所述接触孔的内壁,且所述绝缘层位于所述连接电极和所述接触孔内壁之间。
在一实施例中,所述微发光二极管显示基板还包括导电粘附层;
所述导电粘附层覆盖所述绝缘层和所述LED器件表面对应于所述接触孔的区域,且所述导电粘附层包覆所述连接电极的沿周向的表面和所述连接电极靠近所述LED器件的一端端面。
在一实施例中,所述连接电极远离所述LED器件的一端凸伸出所述接触孔,形成第一凸起部。
在一实施例中,所述微发光二极管显示基板还包括缓冲层;
所述缓冲层形成于所述衬底层与所述LED器件之间;
所述接触孔贯穿所述衬底层及所述缓冲层。
在一实施例中,所述微发光二极管显示基板还包括隔离结构;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的