[发明专利]半导体装置及其熔断方法有效
| 申请号： | 201910454213.4 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110556358B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;杨耀仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 熔断 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一熔丝元件；
第二熔丝元件，部分覆盖所述第一熔丝元件并且在所述第一熔丝元件与所述第二熔丝元件之间的重叠区域与所述第一熔丝元件间隔开；以及
氧化物，设置在所述重叠区域上并且在大于阈值水平的电流流过所述重叠区域之后，所述氧化物从第一导电状态转变为第二导电状态，
其中，所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件由导电材料制成，
其中，所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件设置在同一金属层中，自顶向下看，所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件彼此平行设置，并且所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件中的每一个均包括与所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件中的另一个没有重叠的部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二熔丝元件连接至电压源。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述导电材料包括金属。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述导电材料包括以下材料中的一种：硅化物、金属以及硅化物和金属的组合。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物在所述第二导电状态下的导电性大于在所述第一导电状态下的导电性。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件相对于熔丝壁以水平取向布置。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件相对于熔丝壁以垂直取向布置。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件设置在集成电路的金属零(M0)层中。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件设置在集成电路的金属二(M2)层中。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件设置在第一熔丝壁和第二熔丝壁之间。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一熔丝元件和所述第二熔丝元件设置在非易失性存储单元中。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一熔丝元件连接至包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的晶体管。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述晶体管设置在集成电路的金属零(M0)层之下。
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述晶体管是N型金属氧化物半导体(NMOS)。
15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述晶体管是P型金属氧化物半导体(PMOS)。
16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二熔丝元件连接至VDDQ。
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