[发明专利]发光组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910454453.4 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110581207A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 石崎顺也 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11440 北京京万通知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 第二区域 活性层 第二电极 第一区域 第一电极 发光组件 支承基板 包覆的 侧面部 导体层 窗层 覆膜 包围 | ||
1.一种发光组件，包括窗层兼支承基板及发光层部，所述发光层部设置在所述窗层兼支承基板上，所述发光层部从所述窗层兼支承基板侧而依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，所述发光组件包含：
第一区域，具有所述第二半导体层、所述活性层、所述第一半导体层及与所述第一半导体层相接的第一电极；
第二区域，具有所述第二半导体层、所述活性层及所述第一半导体层；
第三区域，以包围所述第二区域的方式使至少所述第一半导体层及所述活性层除去，且将所述第一区域与所述第二区域分离；
第二电极，在遍及所述第二区域的顶部、所述第二区域的侧面部及所述第三区域的至少一部分而包覆的同时，在所述第三区域与所述第二半导体层及所述窗层兼支承基板相接，
其中所述第三区域中的所述第二电极的覆膜面积为300μm2以上。
2.根据权利要求1所述的发光组件，其中所述窗层兼支承基板为GaAszP1-z，其中0.0≦z≦0.1，所述发光层部为(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中0.0≦x≦1.0且0.4≦y≦0.6。
3.一种发光组件的制造方法，包含下列步骤：
在起始基板上，通过磊晶成长依序至少将第一半导体层、活性层及第二半导体层形成；
通过磊晶成长或贴合而将窗层兼支承基板形成；
除去所述起始基板而使所述第一半导体层露出；
在所述第一半导体层的表面的一部分形成第一电极；
以形成第一区域及第二区域的方式，将所述第二区域的周围的至少所述第一半导体层及所述活性层除去以形成第三区域，其中所述第一区域包含所述第一电极，所述第二区域不含所述第一电极且具有所述第一半导体层及所述活性层，所述第二区域的所述第一半导体层及所述活性层与所述第一区域分离；
形成第二电极，所述第二电极是遍及所述第二区域的顶部、所述第二区域的侧面部及所述第三区域的至少一部分，
其中所述第三区域中的所述第二电极的覆膜面积为300μm2以上。
4.根据权利要求3所述的发光组件，其中所述窗层兼支承基板为GaAszP1-z，其中0.0≦z≦0.1，所述发光层部为(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中0.0≦x≦1.0且0.4≦y≦0.6。
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