[发明专利]发光组件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910454453.4 申请日: 2019-05-29
公开(公告)号: CN110581207A 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 石崎顺也 申请(专利权)人: 信越半导体株式会社
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/00
代理公司: 11440 北京京万通知识产权代理有限公司 代理人: 许天易
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体层 第二区域 活性层 第二电极 第一区域 第一电极 发光组件 支承基板 包覆的 侧面部 导体层 窗层 覆膜 包围
【说明书】:

一种发光组件,包含:第一区域,具有第二半导体层、活性层、第一半导体层及与第一半导体层相接的第一电极;第二区域,具有第二半导体层、活性层及第一半导体层;第三区域,以包围第二区域的方式使至少第一半导体层及活性层除去且将第一区域与第二区域分离;第二电极,在遍及第二区域的顶部、第二区域的侧面部及第三区域的至少一部分而包覆的同时,在第三区域与第二半导体层及窗层兼支承基板相接,其中第三区域中的第二电极的覆膜面积为300μm2以上。

技术领域

本发明是关于一种发光组件及其制造方法。

背景技术

板上芯片(COB)等的产品,由于来自LED组件的散热性是为佳,因此为在照明等的用途中而被采用为LED芯片安装方法。将LED安装在COB等的场合,则必须为将芯片直接对基板接合的覆晶安装。为了实现覆晶安装,必须制作发光组件的一侧的表面上设有极性相异的通电用焊垫的覆晶。此外,设置有通电用焊垫的表面的相反侧的表面则必须以具有光取出功能的材料来构成。

以黄色~红色LED制作覆晶的场合,发光层是使用AlGaInP系的材料。由于AlGaInP系材料不存在块状结晶,且LED部是以磊晶法形成,故起始基板会选择与AlGaInP不同的材料。起始基板大多选择GaAs或Ge,而这些基板具有对可见光的光吸收的特性,故制作覆晶的场合,会除去起始基板。然而,形成发光层的磊晶层为极薄膜,故起始基板除去后便无法自立。因此必须以具有对发光层的发光波长呈现略透明而作为窗层的功能,以及厚度足以使其自立而作为支承基板的功能的材料及构成,与起始基板置换。

此场合,进行在上表面具有极性相异二个电极的发光组件的覆晶安装时,电极面具有相同高度则会使安装变得容易。

专利文件1中记载:为了将具有相同高度的二个电极设置,在发光层上部设置绝缘膜,并在其上形成极性相异的电极的技术。

专利文献2中记载:形成柱状的半导体层区域,在柱状的半导体区域部分形成发光层上的电极及极性相异的电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2005-322722号公报

专利文献2:日本专利6291400号

发明内容

发明要解决的问题

但是,专利文献1所记载的技术中,难以将形成在绝缘膜上的电极的密接强度提高至与采取直接接触半导体的场合相同的程度,而容易发生剥离瑕疵。此外,由于绝缘膜与金属的线膨胀是数的差,而有使通电所致组件温度变化之际金属膜的膨胀、收缩所致的绝缘瑕疵容易发生的问题。

专利文献2所记载的技术中,与形成在发光层上的电极为相异极性的电极是对柱状半导体层上直接形成,与前述的专利文献1所记载的技术相比,有能够充分确保电极与半导体的黏接强度的优点。另一方面,必须在柱状的半导体侧面形成电阻非常低的电极层,而柱状的半导体部分的间隙狭窄,难以通过蒸镀法形成均一的金属膜。此外,若无法形成有充分的厚度及质量的种子层,会难以通过镀层法在前述的侧面部分形成电阻非常低的金属层。

鉴于上述问题,本发明的目的在于提供:在大致相同的高度形成极性相异的电极、具有非常低的电阻、断线瑕疵及剥离瑕疵受到抑制并且能够没有倾斜的覆晶安装的发光组件及发光组件的制造方法。

解决问题的技术手段

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