[发明专利]集成电路器件和集成电路单元的布局图生成方法

权利要求书

1.一种生成集成电路单元的布局图的方法，所述集成电路单元的布局图存储在非易失性计算机可读介质上，所述方法包括：

通过以下方式使所述集成电路单元的布局图中的第一单元与第二单元邻接：

所述第一单元的边界突出件配合在所述第二单元的边界凹槽内，和

使所述集成电路单元的布局图的第一栅极区域与所述边界突出件交叉并与所述第二单元的第一有源区交叉；

其中，通过以下步骤限定所述第一单元或所述第二单元的边界的边界凹槽：

所述边界的第一部分沿着第一方向延伸；

所述边界的第二部分在垂直于所述第一方向的第二方向上远离所述第一部分延伸，所述第二部分与所述第一部分是连续的；以及

所述边界的第三部分在所述第二方向上远离所述第一部分延伸，所述第三部分与所述第一部分是连续的；以及

通过有源区在与所述第二方向相反的第三方向上远离所述第一部分延伸将所述有源区定位在所述第一单元或所述第二单元中。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：基于所述集成电路单元的布局图，制造以下至少一个：

一个或多个半导体掩模；或者

半导体集成电路层中的至少一个部件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述有源区是所述第一单元或所述第二单元中的多个有源区的第一有源区；以及

所述方法进一步包括通过第二有源区在所述第三方向上远离所述第一部分延伸而定位所述多个有源区的所述第二有源区。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

定位所述多个有源区的所述第一有源区包括：在PMOS器件中包括所述多个有源区的所述第一有源区；以及

定位所述多个有源区的所述第二有源区包括：在NMOS器件中包括所述多个有源区的所述第二有源区。

5.根据权利要求1所述的方法，

所述有源区是所述第一单元或所述第二单元中的多个有源区的第一有源区，所述多个有源区的每个有源区都在所述第三方向上延伸，以及

所述方法进一步包括通过沿着所述第一方向对准所述多个有源区的第二有源区、所述多个有源区的第三有源区、所述第二部分、和所述第三部分来定位所述多个有源区的所述第二有源区和所述多个有源区的所述第三有源区。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

定位所述多个有源区的所述第二有源区包括：在PMOS器件中包括所述多个有源区的所述第二有源区；以及

定位所述多个有源区的所述第三有源区包括：在NMOS器件中包括所述多个有源区的所述第三有源区。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，限定所述第一单元或所述第二单元的边界的边界凹槽包括通过以下方式限定所述边界的边界突出件：

所述边界的第四部分在所述第一方向上延伸；

所述边界的第五部分在所述第二方向上远离所述第四部分延伸，所述第五部分与所述第四部分是连续的；以及

第六部分在所述第二方向上远离所述第四部分延伸，所述第六部分与所述第四部分是连续的；

其中，所述有源区位于所述第一部分和所述第四部分之间。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述有源区是所述第一单元或所述第二单元中的多个有源区的第一有源区，所述多个有源区的每个有源区都在所述第三方向上延伸，

限定所述第一单元或所述第二单元的边界的边界凹槽进一步包括：所述边界的第七部分在所述第二方向上延伸，所述第七部分与所述第四部分是不连续并且平行于所述第五部分和所述第六部分，以及

所述方法进一步包括：通过在所述第一方向上对准所述多个有源区的所述第一有源区、所述多个有源区的第二有源区、所述第五部分、所述第六部分和所述第七部分来定位所述多个有源区的所述第二有源区。