[发明专利]集成电路器件和集成电路单元的布局图生成方法

说明书

生成IC单元的布局图的方法包括通过以下步骤限定所述单元的边界的边界凹槽：所述边界的第一部分沿着第一方向延伸；所述边界的第二部分在垂直于所述第一方向的第二方向上远离所述第一部分延伸，所述第二部分与所述第一部分是连续的；以及所述边界的第三部分在所述第二方向上远离所述第一部分延伸，所述第三部分与所述第一部分是连续的。通过所述有源区在与所述第二方向相反的第三方向上远离所述第一部分延伸将有源区定位在所述单元中。所述布局图存储在非暂时性计算机可读介质中。本发明的实施例还提供了集成电路(IC)器件。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及集成电路器件和集成电路单元的布局图生成方法。

背景技术

集成电路(IC)通常包括大量半导体器件，也称为IC器件。表示IC器件的一种方法是被称为布局图或者IC布局图的平面图。IC布局图是分等级的并且包括根据IC器件的设计规范执行高级功能的模块。模块通常由可以包括标准单元和自定义单元(自定义单元)的单元组合构建而成，其中，每个模块包括一个或多个半导体结构。

单元被配置为提供通常由晶体管执行的普通的、低级功能，其中，该晶体管基于与有源区交叉的栅极区域，该有源区有时称为氧化物定义(OD)区域。单元的元件布置在单元边界内并且通过互连结构电连接至其他单元。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种生成集成电路(IC)单元的布局图的方法，所述集成电路布局图存储在非易失性计算机可读介质上，所述方法包括：通过以下步骤限定所述单元的边界的边界凹槽：所述边界的第一部分沿着第一方向延伸；所述边界的第二部分在垂直于所述第一方向的第二方向上远离所述第一部分延伸，所述第二部分与所述第一部分是连续的；以及所述边界的第三部分在所述第二方向上远离所述第一部分延伸，所述第三部分与所述第一部分是连续的；以及通过所述有源区在与所述第二方向相反的第三方向上远离所述第一部分延伸将有源区定位在所述单元中。

根据本发明的另一方面，提供了一种生成集成电路(IC)的布局图的方法，所述集成电路布局图存储在非易失性计算机可读介质上，所述方法包括：通过以下方式使所述集成电路布局图中的第一单元与第二单元邻接：所述第一单元的边界突出件配合在所述第二单元的边界凹槽内，以及使所述集成电路布局图的第一栅极区域与所述边界突出件交叉并与所述第二单元的第一有源区交叉。

根据本发明的又一方面，提供了一种集成电路(IC)器件，包括：多个有源区，所述多个有源区中的每个有源区在第一方向上延伸；以及第一栅极结构，在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，所述第一栅极结构位于所述多个有源区的每个有源区上方；其中，所述多个有源区的第一有源区位于所述多个有源区第二有源区和所述多个有源区的第三有源区之间，所述第一栅极结构位于所述多个有源区的所述第一有源区的边缘上方，以及所述多个有源区的所述第二有源区和所述多个有源区的所述第三有源区中的每个延伸穿过所述第一栅极结构。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据以下详细的描述来更好地理解本发明的各个方面。注意，根据工业的标准实践，各个部件没有按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，可以任意地增加或减小各个部件的尺寸。

图1是根据一些实施例的生成IC的布局图的方法的流程图。

图2示出了根据一些实施例的IC布局图。

图3示出了根据一些实施例的IC布局图。

图4示出了根据一些实施例的有源区。

图5A是根据一些实施例的与IC布局图相对应的IC的示意性表示。

图5B1至图5H2示出了根据一些实施例的IC布局图。

图6是根据一些实施例的生成IC的布局图的方法的流程图。

图7示出了根据一些实施例的IC布局图。