[发明专利]接触场板蚀刻的组合蚀刻停止层、集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

栅极结构，在衬底上方设置在源极区域和漏极区域之间；

介电层，从所述栅极结构上方横向地延伸至所述栅极结构和所述漏极区域之间；

组合蚀刻停止层，包括堆叠在所述介电层上方的多种不同的介电材料；

接触蚀刻停止层，与所述组合蚀刻停止层的上表面和侧壁直接接触；以及

场板，由第一层间介电(ILD)层横向地围绕并且从所述第一层间介电层的顶部、垂直地延伸穿过所述接触蚀刻停止层、并且进入所述组合蚀刻停止层中。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述组合蚀刻停止层包括第一介电材料和与所述第一介电材料的上表面接触的第二介电材料。

3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述场板垂直地延伸穿过所述第二介电材料并且通过所述第二介电材料与所述栅极结构横向地分离。

4.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述第一介电材料包括氮化硅并且所述第二介电材料包括二氧化硅。

5.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述第一介电材料包括二氧化硅并且所述第二介电材料包括氮化硅或氮氧化硅。

6.根据权利要求2所述的集成芯片，其中，所述场板垂直地延伸穿过所述第二介电材料并且通过所述第一介电材料与所述栅极结构垂直地分离。

7.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述组合蚀刻停止层具有直接位于所述场板下方的第一厚度以及位于所述场板之外的第二厚度。

8.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述组合蚀刻停止层横向地与所述场板的侧壁接触。

9.一种集成芯片，包括：

栅极结构，设置在衬底上方；

抗蚀保护氧化物，从所述栅极结构上方横向地延伸越过所述栅极结构的最外侧壁；

组合蚀刻停止层，包括位于所述抗蚀保护氧化物上方的第一介电材料和接触所述第一介电材料的上表面的第二介电材料；

多个导电接触件，通过所述衬底上方的第一层间介电(ILD)层横向围绕；以及

场板，从所述第一层间介电层的顶部延伸至所述组合蚀刻停止层，并且包括与所述多个导电接触件相同的材料，其中，所述组合蚀刻停止层横向地接触所述场板的侧壁并且将所述场板与所述抗蚀保护氧化物垂直地分离。

10.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底内的源极区域和漏极区域之间的所述衬底上方形成栅极结构；

在所述栅极结构上方以及所述栅极结构和所述漏极区域之间形成介电层；

在所述介电层上方形成组合蚀刻停止层，其中，所述组合蚀刻停止层包括多种堆叠的介电材料；

在所述组合蚀刻停止层上方形成第一层间介电(ILD)层；

选择性地蚀刻所述第一层间介电层，以同时限定延伸到所述衬底的接触件开口和延伸到所述组合蚀刻停止层的场板开口；以及

通过一种或多种导电材料填充所述接触件开口和所述场板开口。