[发明专利]介面金属共化物的覆盖率检测方法

说明书

本发明公开了一种介面金属共化物的覆盖率检测方法，所述介面金属共化物的覆盖率检测方法包括以下步骤：将引线键合后的芯片放入发烟硝酸和发烟硫酸的混合试剂中浸泡，其中，所述引线键合后的芯片中包括银制引线和铝制焊盘；在所述银制引线去除后，取出所述芯片；检测所述铝制焊盘上介面金属共化物的覆盖率。本发明利用混合试剂中的发烟硝酸去除银制引线，实现了直接检测介面金属共化物的覆盖率的目的，避免了将焊球进行翻转的操作，同时通过混合试剂中的发烟硫酸减缓对介面金属共化物的腐蚀，保证了介面金属共化物的覆盖率检测的准确性。

技术领域

本发明涉及电路焊接技术领域，尤其涉及介面金属共化物的覆盖率检测方法。

背景技术

在芯片封装工艺中，引线键合(WB，Wire Bonding)是将半导体裸芯片(Die)焊区与微电子封装的输入/输出(I/O，input/output)引线或基板上的金属布线焊盘用金属引线连接起来的工艺技术。在引线键合后，金属引线和焊盘之间会生成介面金属共化物(IMC，Intermetallic Compound)，一般通过检测IMC的覆盖率来判断金属引线与焊盘的稳定性，在IMC的覆盖率过低时，表明金属引线与焊盘的稳定性较差，可能导致焊接脱落以及后续可靠性失效。

在通过引线键合将银制引线焊接到铝制焊盘上时，若检测IMC的覆盖率，则需要在去除铝制焊盘后将焊球进行翻转，然而这种翻转方式操作难度大，翻转成功率太低，实现较为困难。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种介面金属共化物的覆盖率检测方法，旨在通过发烟硝酸和发烟硫酸的混合试剂去除银制引线的同时保护介面金属共化物的完整性，进而直接检测介面金属共化物的覆盖率，避免了将焊球进行翻转的操作。

为实现上述目的，本发明提供一种介面金属共化物的覆盖率检测方法，所述介面金属共化物的覆盖率检测方法包括以下步骤：

将引线键合后的芯片放入发烟硝酸和发烟硫酸的混合试剂中浸泡，其中，所述引线键合后的芯片中包括银制引线和铝制焊盘；

在所述银制引线去除后，取出所述芯片；

检测所述铝制焊盘上介面金属共化物的覆盖率。

可选地，所述芯片在所述混合试剂中的浸泡时长为8min～12min，浸泡温度为20℃～30℃，所述混合试剂包括下述体积百分比的组分：发烟硝酸20％～50％，发烟硫酸50％～80％。

可选地，所述芯片在所述混合试剂中的浸泡时长为10min，浸泡温度为25℃，所述混合试剂包括下述体积百分比的组分：发烟硝酸25％，发烟硫酸75％。

可选地，所述将引线键合后的芯片放入发烟硝酸和发烟硫酸的混合试剂中浸泡的步骤之前，还包括：

在氮气环境下对所述芯片进行烘烤；

在烘烤完成后对所述芯片进行冷却。

可选地，所述烘烤温度为150℃～225℃，烘烤时长为1h～24h。

可选地，所述将引线键合后的芯片放入发烟硝酸和发烟硫酸的混合试剂中浸泡的步骤包括：

将所述芯片中附有银制引线的平面朝上放入所述混合试剂中。

可选地，所述检测所述铝制焊盘上介面金属共化物的覆盖率的步骤之前，还包括：

对去除所述银制引线的所述芯片进行去离子水冲洗和超声波洗涤；

对洗涤后的所述芯片进行干燥处理。

可选地，所述超声波洗涤的试剂为工业丙酮，超声波洗涤的时长为0.5min～1.5min。