[发明专利]一种芯片的三维封装方法及封装结构有效
| 申请号： | 201910455947.4 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110323176B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘凤;方梁洪;刘明明;任超;彭祎;李春阳 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/50;H01L25/065 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 三维 封装 方法 结构 | ||
1.一种芯片的三维封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一待封装的晶圆(1)，所述晶圆(1)具有形成焊垫的正面和对应于所述正面的背面，于所述背面贴载体进行保护；
在所述晶圆(1)的正面形成导电互连层；
剥除所述晶圆(1)的背面的载体；
在所述晶圆(1)的正面导电互连层上贴载体进行保护；
在所述晶圆(1)的背面形成凸点(7)；
剥除所述导电互连层上的载体；其中，所述载体为具有粘性的UV膜，所述载体剥除前需要通过UV光照方式解胶；
提供一载板硅片(9)，将所述凸点(7)装配于所述载板硅片(9)的正面；
提供一倒装芯片(8)，将所述倒装芯片(8)倒装于所述导电互连层。
2.根据权利要求1所述的芯片的三维封装方法，其特征在于，在所述晶圆(1)的正面形成导电互连层包括：
在所述晶圆(1)的正面形成第一钝化层(2)；
在所述第一钝化层(2)上形成导电金属层(3)；
在所述导电金属层(3)上形成第一光阻层；
在所述第一光阻层上形成重分布层(4)；
在所述重分布层(4)上形成第二钝化层(5)。
3.根据权利要求2所述的芯片的三维封装方法，其特征在于，所述导电金属(3)层包括依次层叠形成的钛金属层和铜金属层。
4.根据权利要求1所述的芯片的三维封装方法，其特征在于，在所述晶圆(1)的背面形成凸点(7)包括：
在所述晶圆(1)的背面形成第三钝化层(6)；
在所述第三钝化层(6)上形成第二光阻层；
在所述第二光阻层上形成凸点(7)。
5.根据权利要求4所述的芯片的三维封装方法，其特征在于，所述凸点(7)通过植球的方式形成。
6.根据权利要求1所述的芯片的三维封装方法，其特征在于，所述凸点(7)通过回流焊工艺装配于所述载板硅片(9)的正面，所述倒装芯片(8)通过回流焊工艺倒装于所述导电互连层。
7.一种芯片的三维封装结构，其特征在于，应用如权利要求1所述的芯片的三维封装方法，芯片的三维封装结构包括载板硅片(9)、倒装芯片(8)和具有双面导通结构的芯片；
形成所述具有双面导通结构的芯片的晶圆(1)在正面设有焊垫，在背面设有金属种子层，所述晶圆(1)的正面在所述焊垫上形成有导电互连层，所述晶圆(1)的背面在所述金属种子层上形成有用于电连接的凸点(7)；
所述凸点(7)装配于所述载板硅片(9)的正面，所述倒装芯片(8)倒装于所述导电互连层。
8.根据权利要求7所述的芯片的三维封装结构，其特征在于，所述导电互连层包括从所述焊垫依次排布的第一钝化层(2)、导电金属层(3)、重分布层(4)和第二钝化层(5)；所述金属种子层与所述凸点(7)之间还设有第三钝化层(6)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
