[发明专利]用于形成绝缘体上半导体（SOI）衬底的方法

权利要求书

1.一种用于形成绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括：

在处理衬底上形成绝缘层；

在牺牲衬底上形成器件层，其中，所述牺牲衬底和所述器件层包括相同的半导体材料，并且其中，所述牺牲衬底和所述器件层具有相同的掺杂类型但是不同的掺杂浓度；

将所述牺牲衬底接合到所述处理衬底，使得所述器件层和所述绝缘层位于所述牺牲衬底和所述处理衬底之间；以及

去除所述牺牲衬底，其中，所述去除包括对所述牺牲衬底实施第一蚀刻直到到达所述器件层；

对所述器件层实施第二蚀刻以去除所述器件层的边缘部分，其中，所述第二蚀刻停止在所述绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲衬底包括P+单晶硅，并且其中，所述器件层包括P-单晶硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一蚀刻采用氢氟酸/硝酸/乙酸蚀刻剂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除还包括在所述第一蚀刻之前研磨所述牺牲衬底。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲衬底是块状半导体衬底，并且其中，所述器件层通过外延形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层形成为完全覆盖所述处理衬底的顶面，其中，所述绝缘层的顶面在整个第二蚀刻过程中保持被完全覆盖。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二蚀刻包括干蚀刻至所述器件层中，并且其中，所述干蚀刻在所述绝缘层上停止。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二蚀刻包括使用晶圆边缘曝光处理工具在所述器件层上形成掩模。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述处理衬底具有大于1千欧姆/厘米的高电阻。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层完全包围所述处理衬底。

11.一种绝缘体上半导体衬底，包括：

处理衬底；

绝缘层，覆盖所述处理衬底；以及

器件层，覆盖所述绝缘层，所述器件层具有朝向所述绝缘层的顶面；

其中，所述绝缘层包括：

一对第一上表面部分，沿水平方向延伸，所述一对第一上表面部分是所述绝缘层从所述器件层的所述顶面横向延伸、且未由所述器件层覆盖的表面部分，其中所述一对第一上表面部分分别位于所述绝缘层的相对侧上；及

一对第二上表面部分，沿水平方向延伸，自所述顶面下凹，且未由所述器件层覆盖，其中，所述一对第二上表面部分分别位于所述绝缘层的所述相对侧上，其中，所述一对第一上表面部分横向介于所述一对第二上表面部分之间，并且所述一对第一上表面部分在垂直方向上的位置相对于所述一对第二上表面部分在垂直方向的位置被水平地抬高。

12.根据权利要求11所述的绝缘体上半导体衬底，其中，所述器件层用于限定源极/漏极区域以形成半导体器件。

13.根据权利要求11所述的绝缘体上半导体衬底，其中，所述绝缘层完全包围所述处理衬底。

14.根据权利要求11所述的绝缘体上半导体衬底，其中，所述绝缘层的厚度大于0.7微米，并且其中，所述器件层的厚度大于0.3微米。

15.根据权利要求11所述的绝缘体上半导体衬底，其中，所述处理衬底包括硅并且具有大于1千欧姆/厘米的电阻。