[发明专利]用于电连接堆叠式晶体管的源极/漏极区域的互连技术

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一晶体管器件层，其包括第一栅极结构、与所述第一栅极结构相邻并且包括第一半导体材料的第一源极或漏极区域、以及在所述第一源极或漏极区域上的接触部结构；以及

第二晶体管器件层，其包括第二栅极结构、以及与所述第二栅极结构相邻并包括第二半导体材料的第二源极或漏极区域；并且

其中，所述第一晶体管器件层和所述第二晶体管器件层以垂直堆叠配置进行布置，并且所述第二源极或漏极区域的所述第二半导体材料向下延伸以接触所述第一源极或漏极区域上的所述接触部结构。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括以下中的一个或两个：

在所述第一晶体管器件层内的隔离壁，所述第一源极或漏极区域上的所述接触部结构与所述隔离壁横向相邻，以及

在所述第二晶体管器件层内的隔离壁，所述第二源极或漏极区域的所述第二半导体材料与所述隔离壁横向相邻。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述第一晶体管器件层和第二晶体管器件层内的所述隔离壁中的一个或两个包括一个或多个第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料提供相对于与所述隔离壁中的所述一个或两个相邻的第二绝缘体材料的蚀刻选择性。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括在所述第二晶体管器件层中的结合层，所述第二源极或漏极区域的所述第二半导体材料与所述结合层横向相邻。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一源极或漏极区域上的所述接触部结构是第一接触部结构，所述集成电路结构还包括在所述第二源极或漏极区域的上表面上的第二接触部结构。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一晶体管器件层和所述第二晶体管器件层包括非平面晶体管架构，所述非平面晶体管架构包括半导体鳍状物、纳米线和/或纳米带中的一个或多个。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构各自包括栅电极和所述栅电极与对应的栅控区域之间的栅极电介质，并且其中，所述栅极电介质包括高k电介质材料。

8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一源极或漏极区域的所述第一半导体材料包括III-V族半导体材料，并且所述第二源极或漏极区域的所述第二半导体材料包括IV族半导体材料。

9.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一源极或漏极区域包括n型掺杂剂，并且所述第二源极或漏极区域包括p型掺杂剂。

10.一种印刷电路板，包括根据前述权利要求中的任一项所述的集成电路结构。

11.一种计算系统，包括根据权利要求1-9所述的集成电路结构。

12.一种集成电路器件，包括：

第一晶体管器件层，其包括第一栅极结构、与所述第一栅极结构相邻并且包括第一半导体材料的第一源极或漏极区域、以及在所述第一源极或漏极区域上的第一接触部结构；

第二晶体管器件层，其包括第二栅极结构、与所述第二栅极结构相邻并包括第二半导体材料的第二源极或漏极区域、以及第二接触部结构；并且

其中，所述第一晶体管器件层和所述第二晶体管器件层以垂直堆叠配置进行布置，所述第二接触部结构穿过所述第二源极或漏极区域的所述第二半导体材料并与所述第一源极或漏极区域上的所述第一接触部结构接触。