[发明专利]一种浮结型肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种浮结型肖特基二极管，其特征在于，包括：

衬底层(1)；

外延层(2)，位于所述衬底层(1)上层；

浮结区(3)，位于所述外延层(2)中间的矩形槽内；

绝缘型多晶硅层(4)，位于所述浮结区(3)上层；

沟槽(5)，位于所述绝缘型多晶硅层(4)上层；

肖特基接触的阴极(6)，位于所述衬底层(1)下层；

肖特基接触的阳极(7)，覆盖所述外延层(2)、所述绝缘型多晶硅层(4)和所述沟槽(5)。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述外延层(2)材料为N^-离子掺杂的4H-SiC，厚度为5μm～15μm。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述矩形槽深度为0.5μm～1.5μm，宽度为1μm～3μm。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述绝缘型多晶硅层(5)厚度为0.8μm～1μm，宽度为0.5μm～1.5μm。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述肖特基接触的阴极(6)的材料为Ti/Ni/Ag金属。

6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述肖特基接触的阳极(7)的材料为Ti/Al金属。

7.一种浮结型肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：

S1、选取衬底层(1)；

S2、在所述衬底层(1)上层形成外延层(2)；

S3、刻蚀所述外延层(2)在所述外延层(2)中间形成矩形槽；

S4、在所述矩形槽内形成浮结区(3)；

S5、在所述浮结区(3)上层形成绝缘型多晶硅层(4)；

S6、刻蚀所述绝缘型多晶硅层(4)形成沟槽(5)；

S7、在所述衬底层(1)下层形成肖特基接触的阴极(6)；

S8、形成肖基特接触阳极(7)覆盖所述外延层(2)、所述绝缘型多晶硅层(4)和所述沟槽(5)。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

S31、在所述外延层(2)上形成SiO₂掩膜层；

S32、刻蚀所述SiO₂掩膜层和所述外延层(2)在所述外延层(2)中间形成所述矩形槽。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤S4包括：

S41、在所述矩形槽底部注入Al离子形成P+区结构；

S42、在所述P+区结构上层注入N离子形成N+区结构；

S43、高温激活所述Al离子和所述N离子形成所述浮结区(3)。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤S6包括：

刻蚀所述绝缘型多晶硅层(4)在所述绝缘型多晶硅层(4)中间形成所述沟槽(5)。