[发明专利]一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管

权利要求书

1.一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管，其特征在于，包括：

N⁺衬底层(1)，所述N⁺衬底层(1)是高掺杂的n型碳化硅，所述n型碳化硅是磷材料与碳化硅材料的掺杂，磷材料的掺杂浓度为≥1×10¹⁹/cm^-3；

漂移层(2)，位于所述N⁺衬底层(1)上，所述漂移层(2)的表面至少包括两个沟槽(3)及处于相邻两个所述沟槽(3)之间的一个凸起结构(4)，所述漂移层(2)是磷材料与碳化硅材料的掺杂；

P型区，包括：沟槽底部P型区(5)和沟槽侧壁P型区(6)，其中，所述沟槽侧壁P型区(6)的第一侧边与所述沟槽(3)的第一侧壁、所述沟槽底部P型区(5)的第一侧边相互贴合，所述沟槽底部P型区(5)的顶端、所述沟槽侧壁P型区(6)的顶端分别与所述沟槽(3)的底部、所述凸起结构(4)的顶部相互贴合，所述沟槽底部P型区(5)为掺杂硼的碳化硅材料，硼材料的掺杂浓度≥1×10¹⁹/cm^-3，所述沟槽侧壁P型区(6)为掺杂硼的碳化硅材料，硼材料的掺杂浓度≥1×10¹⁹/cm^-3，所述沟槽底部P型区(5)和所述沟槽侧壁P型区(6)均为高斯掺杂；

二氧化硅层(10)，包括：纵向二氧化硅层和横向二氧化硅层，所述横向二氧化硅层设置于所述沟槽(3)上，且与所述沟槽(3)的第二侧壁相互贴合，所述纵向二氧化硅层设置于所述横向二氧化硅层上，组成L形，且所述纵向二氧化硅层与所述沟槽(3)的第二侧壁相互贴合，所述横向二氧化硅层的贴合侧边与所述纵向二氧化硅层的贴合侧边组成L形的第一侧边；

金属层，位于所述漂移层(2)的表面、所述P型区、所述纵向二氧化硅层、所述横向二氧化硅层上，且一部分所述金属层与所述二氧化硅层(10)、所述漂移层(2)的表面形成金属氧化物半导体；

所述金属层包括：第一部分金属层、第二部分金属层、第三部分金属层，其中，

所述第一部分金属层与所述沟槽侧壁P型区(6)、所述凸起结构(4)相互贴合后剩余部分的所述凸起结构(4)的表面形成肖特基接触区(8)；

所述第二部分金属层分别与所述沟槽底部P型区(5)、所述沟槽侧壁P型区(6)的顶端形成第一欧姆接触区(73)、第二欧姆接触区(74)；

所述第三部分金属层分别淀积于所述纵向二氧化硅层、所述横向二氧化硅层的顶端形成第一金属层(71)、第二金属层(72)，其中，所述第一金属层(71)、所述第二金属层(72)、所述二氧化硅层(10)、所述漂移层(2)的表面，形成所述金属氧化物半导体；

金属区域(9)，位于所述金属层的表面；

所述沟槽侧壁P型区(6)的高度等于所述沟槽(3)的高度与所述沟槽底部P型区(5)的高度之和；

所述横向二氧化硅层的宽度等于所述沟槽(3)的宽度减去所述沟槽底部P型区(5)的宽度；

所述纵向二氧化硅层的高度等于所述沟槽(3)的高度减去所述横向二氧化硅层的高度；

所述纵向二氧化硅层的宽度等于所述横向二氧化硅层的高度。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽底部P型区(5)的宽度≤所述沟槽(3)的宽度。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所有所述沟槽底部P型区(5)的宽度、高度对应相等。

4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所有所述沟槽侧壁P型区(6)的宽度、高度对应相等。